ВЛИЯНИЕ ПРИМЕСЕЙ ТУГОПЛАВКИХ ЭЛЕМЕНТОВ НА НЕЭФФЕКТИВНОСТЬ ПЕРЕНОСА ЗАРЯДА В ПРИБОРАХ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ

Исследовано влияние примесей тугоплавких элементов на неэффективность переноса заряда в приборах с зарядовой связью. Установлено, что величина неэффективности переноса e  прямо пропорциональна плотности поверхностных состояний, а величина плотности поверхностных состояний в ПЗС-регистрах при результирующих потерях ne < 0,1 зависит от типа специально введенной примеси. Показано, что в ПЗС-структурах, легированных примесями Ti, Zr и Hf   относительно контрольных структур потерь заряда больше, а в легированных примесями W и Mo потерь заряда меньше.

The influence of impurities of refractory elements on the inefficiency of charge transfer in charge-coupled devices is investigated. Found that the magnitude of the inefficiency of transfer e directly proportional to the density of surface States and the density of surface States in the CCD registers, with the resulting n losses ne ? 0.1 depends on the type specially introduced impurities. It is shown that in CCD structures doped with impurities Ti, Zr and Hf relative to the control structures, the charge loss is greater, and in doped with impurities W and Mo, the charge loss is less.