462

  • Ссылка в интернете
  • DOI
  • Дата создание в систему UzSCI 23-10-2019
  • Количество прочтений 429
  • Дата публикации 18-09-2019
  • Язык статьиRus
  • Страницы25-31
Ключевые слова
Ўзбек

Показано, что в условиях низкотемпературного и многоэтапного легирования
кремния, атомы никеля в решетке создают кластеры. Управляя условиями легирования
можно варьировать размеры таких кластеров в широком диапазоне 0,15 мкм.
Особенность таких кластеров атомов Ge заключается в том, что они распределены по
всему объему кристалла и в зависимости от условия легирования концентрация кластеров
достигает Nv=10101012см-3. Установлено, что отжиг при 850 °С монокристаллического
кремния, легированного германием, приводит к образованию внутренних
микрогетеропереходов Si–SiGe–Si, которые повышают на 2.5% эффективность солнечных
элементов изготовленных на их основе.

№ Имя автора Должность Наименование организации
1 Saitov E.B. katta o'qituvchi TDTU
2 Ayupov Q.S. professor TDTU
№ Название ссылки
1 М.К Бахадырханов, С.Б. Исамов, Н.Ф.Зикриллаев, К.С.Аюпов, Д.Асанов, О.Сатторов. Возможность формирование наноразмерных варизонных структур в решетке кремния. Россия Кремний 2012 Санкт-Петербург.
2 С.Н. Чеботарев, А.С. Пащенко, Л.С. Лунин, В.А. Ирха. Моделирование кремниевых тонкопленочных трехкаскадных солнечных элементов a-Si:H/nc-Si:O/nc-Si:H. Вестник южного научного центра том 9, № 4, 2013, стр. 18–25.
3 Saitov E. Study of Quantitative and Qualitative Characteristics of Nickel Clusters and Semiconductor Structures. International Journal of Advanced Research in Science, Engineering and Technology, Vol. 3, Issue 5, May 2016. pp. 1952-1956. IF=4,346 [05.00.00; №8].
4 B. A. Abdurakhmanov, M. K. Bakhadirkhanov, K. S. Ayupov, H. M. Iliyev, E. B. Saitov, A. Mavlyanov, H. U. Kamalov. Formation of Clusters of Impurity Atoms of Nickel in Silicon and Controlling Their Parameters. Nanoscience and Nanotechnology, Vol. 4 No. 2, 2014. pp. 23-26. IF:0,4 [№12 Index Copernicus, №35 cross ref].
5 Зикриллаев Н.Ф., Саитов Э.Б. Фотоэлементы на основе кремния с микробарьерами Шоттки. Вестник Туринского политехнического университет г. 2014. с. 31-33. [05.00.00., №25].
6 Саитов Э.Б. Таркибида микро ва нано кластерлари бўлган кремнийнинг вольт ампер таснифини хусусиятлари. ТДТУ Хабарлари №3-сон, 2014 й. б.56-61. [05.00.00., №16].
7 Саитов Э.Б. Исследование кремниевых фотоэлементов с Si-Ge микро-гетероструктурами. Спец выпуск. Вестник ТГТУ г. 2015, с. 66-71. [05.00.00., №16].
8 B. A. Abdurakhmanov, M. K. Bakhadirkhanov, E.B Saitov and other// Formation of Clusters of Impurity Atoms of Nickel in Silicon and Controlling Their Parameters Nanoscience and Nanotechnology, Vol. 4 No. 2, 2014
9 M. K. Bakhadyrkhanov, S.B.Isamov, and N.F.Zikrillaev IR Photodetectors in the Range of λ=1,5-8μm, Based on Silicon with Multicharged Nanooclusters of Manganese Atoms, MicroelectronikaVol. 41, No. 6, pp. 433-435. 2012.
10 Markov V.A., Pchelyakov O.P., Sokolov L.V., Stenin S.I., Stoyanov S.S. Molecular beam epitaxy with synchroni ization ofnucleation // Surface Science. 1991. V. 250. № 1–3. C. 229–234.
11 Green M.A., Emery K., Hishikawa Y., Warta W., Ewan D. 2013. Solar cell efficiency tables (version 41). Progress in Photovoltaics: Research and Applications. 21(1): 1–11. doi: 10.1002/pip.2352. (In English).
В ожидании