| Заглавие | CoAuthors | Язык статьи | Просмотры | Чтения |
|---|---|---|---|---|
| ИЗМЕНЕНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПОВЕРХНОСТИ Si(111) И Si(100) В ПРОЦЕССЕ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ И ПОСЛЕДУЮЩЕГО ОТЖИГА «Современные тенденции развития физики полупроводников: достижения, проблемы и перспективы» |
Raximov A.T., Rysbaev A.S., Igamov B.., Khudayberdieva M.. |
O'zbek | 458 | 357 |