| Заглавие | CoAuthors | Язык статьи | Просмотры | Чтения |
|---|---|---|---|---|
| ZnMgO/SiO2/ p- Si MEMRISTOR WITH NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE SWITCHING «Современные тенденции развития физики полупроводников: достижения, проблемы и перспективы» |
Abdullaev S.., Sharipova R.., Yuldashev S.U. |
Ingliz | 395 | 287 |
| NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE EFFECT IN ZnMgO MEMRISTOR WITH SiO 2 THIN OXIDE LAYER ON P - TYPE SILICON Физика полупроводников и микроэлектроника | Abdullaev S.. | O'zbek | 509 |