186

В работе приведены результаты исследования зависимости величины магнетосопротивления GaMnAs, от ориентации внешнего магнитного поля. Получены температурные зависимости анизотропного магнетосопротивления, показывающие, что в исследованном интервале температур ось легкого намагничивания лежит в плоскости эпитаксиального слоя.

  • Jurnal nomi
  • Nashr soni
  • Ko'rishlar soni 186
  • Internet havola
  • DOI
  • UzSCI tizimida yaratilgan sana 22-08-2020
  • O'qishlar soni 92
  • Nashr sanasi
  • Asosiy tilRus
  • Sahifalar270-275
Русский

В работе приведены результаты исследования зависимости величины магнетосопротивления GaMnAs, от ориентации внешнего магнитного поля. Получены температурные зависимости анизотропного магнетосопротивления, показывающие, что в исследованном интервале температур ось легкого намагничивания лежит в плоскости эпитаксиального слоя.

English

Results of the studies of GaMnAs magnetoresistance dependence on the external magnetic field orientation have been presented. Temperature dependences of the anisotropic magnetoresistance shows that in the investigated temperature range the easy axis lies in the plane of epitaxial layer

№ Muallifning F.I.Sh. Lavozimi Tashkilot nomi
1 Parchinskiy P..
2 Gazizulina A.S.
№ Havola nomi
1 T. Hayashi, Y. Hashimoto, S. Katsumoto, Y. Iye, Appl. Phys. Lett. 2001. V78. P. 1691
2 P.B. Parchinskij, A.S. Galashina, Dojin Kim, UFZh, 2017, Vol. 19(№3), 143- 147
3 Baxter D.V., Ruzmetov D., Scherschligt J., Sasaki Y., Liu X., Furdyna J., Mielke C.H., Phys. Rev. B. 2004, 65, №21, 212407.
4 P.B. Parchinskiy, F.C. Yu, P.V. Chandra Sekar, D.J. Kim, JMMM, 2009, 321, №7, 709
5 K.Y Wang, K.W Edmonds, R.P Campion, L.X. Zhao, C.T. Foxon, B.L. Gallagher, Phys. Rev. B. 2005, 72, №8, 085201
Kutilmoqda