335

Для объяснения такого поведения фотоэлектрической проводимости нами была использована модель щели подвижности Si:H , в которой зарядовые состояния распределены на разных дискретных уровнях. Эти уровни представлены в виде дырочных ловушек с концентрацией Ntp и D0 , D+ -зарядовые центры с концентрацией N0 + , N0 0 соответственно. При освещении образца светом происходит захват и рекомбинация носителей тока. Для этого случая составили уравнение электронейтральности: для кинетики перезарядки и использовали это уравнение для выражения фотопроводимости получения.

  • Name of journal
  • Number of edition
  • View count335
  • Web Address
  • DOI
  • Date of creation in the UzSCI system20-08-2020
  • Read count233
  • Date of publication
  • Main LanguageRus
  • Pages41-47
Русский

Для объяснения такого поведения фотоэлектрической проводимости нами была использована модель щели подвижности Si:H , в которой зарядовые состояния распределены на разных дискретных уровнях. Эти уровни представлены в виде дырочных ловушек с концентрацией Ntp и D0 , D+ -зарядовые центры с концентрацией N0 + , N0 0 соответственно. При освещении образца светом происходит захват и рекомбинация носителей тока. Для этого случая составили уравнение электронейтральности: для кинетики перезарядки и использовали это уравнение для выражения фотопроводимости получения.

English

In this manuscript, it was analysed that the temperature dependence of the photoelectric conductivity of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H), heavily and slightly doped with boron. Lightly doped a-Si:H exhibits intrinsic conductivity. The plot of the photoelectric conductivity depending on the doping consists of several plots. To explain this behavior of photoelectric conductivity, we used the a-Si:H mobility gap model, which charge states are distributed at different discrete levels. These levels are represented as hole traps with a concentration of Ntp and D0 , D+ - centers of charges with a concentration of N0 + , N0 0 . When the sample is illuminated with light, carriers are captured and recombined. For this case, the electro neutrality equations for the kinetics of charge exchange and the continuity equations were compiled.

№ Author name position Name of organisation
1 Zaynobidinov S.Z.
2 Babakhodjaev U.S.
3 Nabiyev A.B.
№ Name of reference
1 O. A. Golikova, M. M. Kazanin, A. N. Kuznetsov, E. V. Bogdanova, “Nanostructured a-Si: H films obtained by the method of silane decomposition in a magnetron chamber”, FTP, vol. 34 , c.9, 2000, pp.66-70.
2 S.Zaynabidinov, U.Bobokhodzhaev, A.Nabiyev, N.Sharibayev, “The Mechanism of Hole Transport in Photocells Based on a-Si: H”, International Journal of Scientific and Technology Research ISSN 2277-8616, Vol.9, №1, 2020, pp. 2589- 2593.
3 M.V. Khenkin, “Electrical, photoelectric and optical properties of two-phase hydrogenated silicon films”, dis. Ph.D., Moscow State University, Lomonosov, 2015 p. 157.
4 A.G. Kazansky, S. V. Kuznetsov, “Temperature dependence of photoconductivity in p-type a-Si: H ”, FTP, v.25, v.8, 1991, pp.1456-1459.
5 S. V. Kuznetsov, “The Steblero-Vronsky effect and temperature dependences of p-type a-Si:H ”, FTP, v.6, 2000, pp. 748-752.
6 Kurova I. A., Nalgieva M. A., Ormont N. N., “Electric and photoelectric properties of a-Si: H films subjected to high-temperature annealing in hydrogen.”, Vestnik MGU, Physics, Astronomy, v. 3, No. 4, 2005, pp. 54-57.
7 S. Zaynobiddinov, U. Babakhodzhayev, A. Nabiyev. “Effects of deep traps on a hole photocurrent of photocells based on a-Si: H ”, Journal of Scientific and Engineering Research, 6 (2), 2019, pp. 252-255.
8 Balogurov L. A., Kyutte Ya. Ya., “Features of recombination in hydrogenated amorphous silicon”, FTP, v.6, v.19, 1985, pp. 1046-1049.
Waiting