200

В работе приведены результаты исследования зависимости величины магнетосопротивления GaMnAs, от ориентации внешнего магнитного поля. Получены температурные зависимости анизотропного магнетосопротивления, показывающие, что в исследованном интервале температур ось легкого намагничивания лежит в плоскости эпитаксиального слоя.

  • Журнал номи
  • Нашр номи
  • Кўришлар сони 200
  • Internet ҳавола
  • DOI
  • UzSCI тизимида яратилган сана 22-08-2020
  • Ўқишлар сони 106
  • Нашр санаси
  • Мақола тилиRus
  • Саҳифалар сони270-275
Русский

В работе приведены результаты исследования зависимости величины магнетосопротивления GaMnAs, от ориентации внешнего магнитного поля. Получены температурные зависимости анизотропного магнетосопротивления, показывающие, что в исследованном интервале температур ось легкого намагничивания лежит в плоскости эпитаксиального слоя.

English

Results of the studies of GaMnAs magnetoresistance dependence on the external magnetic field orientation have been presented. Temperature dependences of the anisotropic magnetoresistance shows that in the investigated temperature range the easy axis lies in the plane of epitaxial layer

№ Муаллифнинг исми Лавозими Ташкилот номи
1 Parchinskiy P..
2 Gazizulina A.S.
№ Ҳавола номи
1 T. Hayashi, Y. Hashimoto, S. Katsumoto, Y. Iye, Appl. Phys. Lett. 2001. V78. P. 1691
2 P.B. Parchinskij, A.S. Galashina, Dojin Kim, UFZh, 2017, Vol. 19(№3), 143- 147
3 Baxter D.V., Ruzmetov D., Scherschligt J., Sasaki Y., Liu X., Furdyna J., Mielke C.H., Phys. Rev. B. 2004, 65, №21, 212407.
4 P.B. Parchinskiy, F.C. Yu, P.V. Chandra Sekar, D.J. Kim, JMMM, 2009, 321, №7, 709
5 K.Y Wang, K.W Edmonds, R.P Campion, L.X. Zhao, C.T. Foxon, B.L. Gallagher, Phys. Rev. B. 2005, 72, №8, 085201
Кутилмоқда