253

В данной статье были изучены процессы токопрохождения в диодных структурах на основе твердых растворов «кремний-сульфид кадмия». Полученные результаты показали, что в исследованных p-Si-n-(Si2)1- x(CdS)x (0x 0.01)структурах в переходной области «подложка - эпитаксиальный слой» образуется компенсированный высокоомный слой из твердого раствора (Si2)1-x(CdS)x.

  • Название журнала
  • Номер выпуска
  • Количество просмотров253
  • Ссылка в интернете
  • DOI
  • Дата создание в систему UzSCI21-08-2020
  • Количество прочтений146
  • Дата публикации
  • Язык статьиRus
  • Страницы214-218
Русский

В данной статье были изучены процессы токопрохождения в диодных структурах на основе твердых растворов «кремний-сульфид кадмия». Полученные результаты показали, что в исследованных p-Si-n-(Si2)1- x(CdS)x (0x 0.01)структурах в переходной области «подложка - эпитаксиальный слой» образуется компенсированный высокоомный слой из твердого раствора (Si2)1-x(CdS)x.

English

In this article, the processes of current flow in diode structures based on solid solutions “silicon-cadmium sulfide” were studied. The results showed that in 215 the studied p-Si-n-(Si2)1-x(CdS)x (0x 0.01) structures in the transition region “substrate - epitaxial layer” a compensated high-resistance layer is formed from a solid solution(Si2)1-x(CdS)x.

№ Имя автора Должность Наименование организации
1 Madaminov X.M.
№ Название ссылки
В ожидании