РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИИ ДИФФУЗИОННОГО ЛЕГИРОВАНИЯ ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА НОВОГО ПОКОЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ФОТОЭЛЕМЕНТОВ, ЛЕГИРОВАННЫХ НИКЕЛЕМ

Admin bo'lib kirish (www.admin.slib.uz)

Tizim sinov (TEST) rejimida ishlamoqda! Murojat uchun @slib_support

Eski talqinga o'tish link

18 октябр 2019

Asosiy til:O'zbek

РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИИ ДИФФУЗИОННОГО ЛЕГИРОВАНИЯ ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА НОВОГО ПОКОЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ФОТОЭЛЕМЕНТОВ, ЛЕГИРОВАННЫХ НИКЕЛЕМ

Fan yo'nalishi:

20191018103341_2018-1-с....pdf

PDF

Technical science and innovation

Maqola chop etish see more

MAQOLA ANNOTATSIYASI

В статье рассматривается разработка технологии диффузионного легирования для про-изводства нового поколения кремниевых фотоэлементов. Приведена методика низкотемпе-ратурного диффузионного легирования кремния никелем, являющимся модельным металлом с высокой степенью спиновой поляризации электронов проводимости и получения полупровод-ника с заданными параметрами. Показана повышенная эффективность преобразования энер-гии по сравнению с существующими промышленными фотоэлементами. Предложен новый метод диффузии, осуществляемый поэтапно путем постепенного повышения температуры, начиная с комнатной до температуры диффузии. Установлено, что в кремнии, легированным никелем по технологии многоэтапной диффузии и после дополнительного низкотемператур-ного отжига, происходит самоорганизация кластеров примесных атомов никеля в решетке кремния. Управляя температурой дополнительного отжига, можно в широком интервале из-менять размеры кластеров, их распределение по объему, а также их концентрацию.

MUALIFLAR

Teglar

# кластер# диффузия# фотоэлемент# самоорганизация# полупроводник# легирование# коэффициент перенасыщенности# растворимость# низкотемпературный отжиг

Maqolani baholang

0

0 ta

Maqola idintifikatorlari

ROI:

https://eroi.uz/11.0008/A1019-0010

DOI:

Mavjud emas

Foydalanilgan adabiyotlar

Litovchenko V.G., Popov V.G., Svechnikov S.V. Solnechnыe fotoelementi na osnove amorfnogo kremniya // Optoelektronika i poluprovodnikovaya texnika. – 1983 g.№ 3, S. 3 – 12.

Nanotexnologii v elektronike. Pod redaksiey chlena-korrespondenta RAN Yu.A.Chaplыgina. Moskva: Texnosfera - 2005 g. S. 65-66.

Baxadirxanov M.K., Ayupov K.S., Iliev X.M., Mavlonov G.X., Sattarov O.E. Vliyanie elektricheskogo polya, osveshennosti i temperaturi na otritsatelnoe magnetosoprotivlenie kremniya, legirovannogo po metodu nizkotemperaturnoy diffuzii. // FTP, 2011. S. 59-62.

Abdurakhmanov B.A., Bakhadirkhanov M.K., Saitov E.B and other// Formation of Clusters of Impurity Atoms of Nickel in Silicon and Controlling Their Parameters Nanoscience and Nanotechnology, 2014 years, Vol. 4 No. 2. PP. 29-32.

Abdurakhmanov B.A., Bakhadirkhanov M.K., Iliyev H. M., Saitov E.B and other// Silicon with Clusters of Impurity Atoms as a Novel Material for Photovoltaic// Nanoscience and Nanotechnology, 2014 years, Vol. 4 No. 3. PP. 36-39.