31 октябр 2019
2Asosiy til:Ingliz
STRUCTURAL FEATURES OF SOLID SOLUTIONS (InSb)1-x(Sn2)x FILMS GROWN FROM A LIQUID PHASE ON GaAs SUBSTRATES AND SOME PHOTOELECTRIC PROPERTIES OF HETEROSTRUCTURES ON THEIR
Fan yo'nalishi:
5dbabc7b4c881.pdf
MAQOLA ANNOTATSIYASI
Суюк фазали эпитаксия усули билан индийли эритмадан GaAs(100) ва GaP(100) тагликларига (InSb)1-x(Sn2)xқаттиқ қотишманинг катламлари ўстирилди. InSb)1-x(Sn2)x (0 х 0.05) қаттиқ қотишма (100) ориентацияли, as.s.= 6.486 Å панжара доимийли монокристалл, ковакли ўтказувчанликли структурага эга. Қаттиқ котишманинг эпитаксиал қатламларини 0,11 эВ га тенг тақикланган зонасини кенглигини бахолаш учун ютилиш коэффициентини спектрал боғланишидан фойдаланилди. n-GaAs–p- (InSb)1-x(Sn2)x ва n-GaP–p-(InSb)1-x(Sn2)x гетероструктураларни спектрал фотосезгирлиги тўлқин узунлигининг 1,0 дан 5,3 мкм гача бўлган диапазонини эгаллайди.
MUALIFLAR
Teglar
# solid solution# liquid-phase epitaxy# band gap energy# carrier concentration# heterostructure# spectral dependence of the absor# твердый раствор# жидкофазная эпитаксия# энергия запрещенной зоны# носители заряда# гетероструктура# спектральная зависимость коэффиц# қаттиқ қотишма# суюқ фазали эпитаксия# тақиқланган зона энергияси# заряд ташувчилар# ютилиш коэффициентининг спектрал
Maqolani baholang
0
Maqola idintifikatorlari
DOI:
Mavjud emas
Foydalanilgan adabiyotlar
[1]. A.N. Baranov, B.E. Dzhurtanov, A.N. Imenkov, A.A. Rogachev, Yu.M. Shernyakov, Yu.P. Yakovlev FTP, 20 (12), 2217 (1986)
[2].G. Bougnot, mF. De Lannoy. J. Electrochem. Soc., 135, 783 (1988)
[3].A. Mabbit, A. Parker. Sens. Rev., 16 (3), 38 (1996)
[4].A. Krier, H.H. Gao, V.V. Sherstnev, Yu.P. Yakovlev. J. Phys. D: Appl. Phys., 32, 3117 (1999)
[5].Akchurin R.Kh., Sakharova T.V. Letters to the Journal of Physics and Technology, 18 (10), 16 (1992)
[6]. Akchurin R.Kh., Akimov O.V. FTP, 29 (2), 362 (1995)