Приводится анализ результатов исследований физических свойств металл-диэлектрик полупроводниковых (МДП) структур типа Al-SiО2-Si. Отмечено, что в таких структурах, полученных методом термического окисления основным, определяющим параметров МДП-структур являются поверхностные состояния (ПС) на границе раздела Si-SiО2. Облучение γ-квантами МДП–структур приводит к увеличению Nss и Dss а также изменению распределения их по энергии в запрещенной зоне Si. Из анализа исследований структуры твердых растворов на основе кремния и гетероструктур электрофизическими, фотоэлектрическими, рентгенструктурными и сканирующими зондовыми микроскопическими методами, установлены структурные особенности и определены возможности создания новых многослойных электронных изделий с уникальными функциями.