ОСОБЕННОСТИ ПЕРЕНОСА ТОКА В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ n-GaP-p-(InSb)1-x(Sn2)x ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ

Исследована вольт-амперная характеристика n-GaP-p-(InSb)1-x(Sn2)x (0 £ х £ 0.05) гетероструктур. Показано, что при малых напряжениях V<0,5V вольт-амперная характеристика описывается экспоненциальным законом: I = I0×exp (qV /ckT), а при больших – от 0,5 до 1,8 V степенными законами: I = A×V m с различными значениями коэффициента А и показателя степени m при различных напряжениях. При более высоких напряжениях – от 2.10 до 2.48 V наблюдается сублинейный участок, который описывается законом: V = V0×exp(Iad / S). Результаты объясняются диффузионно-дрейфовым механизмом переноса тока в режиме диэлектрической релаксации, а также эффекта инжекционного обеднения.