Методом емкостной спектроскопии исследована кинетика отжига глубоких уровней в кремнии с примесью платины при низких температурах. Показано, что изотермический отжиг глубоких уровней в Si начинается при 350оС и приводит к резкому уменьшению концентрации уровней Pt, при этом по мере отжига концентрация уровня Ес-0.21 эВ, обусловленного дефектами термообработки, увеличивается. Установлено, что кинетика отжига уровней зависит и от содержания кислорода в кремнии.