28 Oktabr 2020
71Asosiy til:Rus
ВЛИЯНИЕ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ОБРАБОТОК НА ПОВЕДЕНИЕ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ В КРЕМНИИ ЛЕГИРОВАННОМ ПЛАТИНОЙ
Fan yo'nalishi:
file.pdf
MAQOLA ANNOTATSIYASI
Методом емкостной спектроскопии исследована кинетика отжига глубоких уровней в кремнии с примесью платины при низких температурах. Показано, что изотермический отжиг глубоких уровней в Si начинается при 350оС и приводит к резкому уменьшению концентрации уровней Pt, при этом по мере отжига концентрация уровня Ес-0.21 эВ, обусловленного дефектами термообработки, увеличивается. Установлено, что кинетика отжига уровней зависит и от содержания кислорода в кремнии.
MUALLIFLAR
SH.Utamuradova
НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ
K.Fayzullaev
НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ
Z.Olibekov
НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ
J.Khamdamov
НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ
Teglar
# диффузия# концентрация# concentration# diffusion# кремний# глубокий уровень# платина# platinum# deep level# спектр DLTS# DLTS spectrum
SHU JURNALDAGI BOSHQA MAQOLALAR
- DETERMINING THE LIFETIME OF MINORITY CHARGE CARRIERS AND IRON IMPURITY CONCENTRATION IN SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH SUBMICRON LAYERS
Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika · 28 Mart 2022
- THE POSITIVE FEEDBACK AMPLIFICATION MECHANISM OF THE INJECTION PHOTODIODE BASED ON LARGE-BLOCK CdTe FILMS
Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF RECOMBINATIONAL PROCESSES THROUGH PHOTOELECTRIC CONDUCTIVITY OF THE FILM OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON AND ITS MODIFICATION
Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF DEFECT FORMATION PROCESSES IN SILICON WITH IRON IMPURITY
Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika · 28 Mart 2022
- PHOTOELECTRIC MEASUREMENTS OF SELENIUM DOPED SILICON
Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika · 28 Mart 2022
- STRUCTURAL FEATURES OF THE THIN-FILM N-ZnO/P-Si HETEROJUNCTION
Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika · 28 Mart 2022
Maqolani baholang
0
5
4
3
2
1
Maqola idintifikatorlari
DOI:
Mavjud emas
Foydalanilgan adabiyotlar
Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника