THREE-BARRIER Au/AlGaAs(n)/GaAs(p)/Ag PHOTODIODE STRUCTURES

Исследована фоточувствительность трехбарьерной фотодиодной m-n-p-m-структуры, в которой m-n- и p-m-переходы сформированы как выпрямляющие. Показано значительное увеличение квантовой эффективности при возбуждении структуры со стороны подложки при прямом смещении n-p-гетероперехода. Найдены условия, которые приводят к состоянию с постоянной чувствительностью в широком диапазоне от 0,95 до 1,3 эВ, что может быть интересным для телекоммуникационных и волоконно-оптических систем. Показано наличие в структуре внутреннего фотоэлектрического усиления.