Исследовано влияние изохронного отжига на параметры МДП-структур с примесями вольфрама и молибдена, облученных g-квантами 60Со. Показано, что присутствие в кремниевой подложке МДП-структур примесей тугоплавких элементов - вольфрама или молибдена приводит к стабилизации всех параметров исследуемых структур Al-SiO2-Si и Al-SiO2-Si при различных термообработках при температурах Тотж=70÷400оС и облучении. Установлено, что предварительный отжиг МДП-структур с примесями W и Mo при 350оС в течение 30 минут в атмосфере азота, проведенный в целях снижения плотности поверхностных состояний, уменьшает концентрацию радиационных дефектов, вводимых облучением.