STUDY OF THE ROLE OF THE TECHNOLOGICAL IMPURITIES STATES IN THE FORMATION OF A DEFECTIVE STRUCTURE OF Si DOPED WITH TRANSITION ELEMENTS

В данной работе методами емкостной и инфракрасной спектроскопии изучено влияние высокотемпературных обработок на развитие дефектной структуры кремния с примесями переходных элементов. Установлено, что присутствие связанных состояний технологических примесей – частиц SiO2 и SiO4, в Si, легированном переходными элементами приводит к изменению эффективности образования глубоких уровней, связанных с атомами марганца, кобальта и хрома. Обнаружено, что наличие связанных состояний технологических примесей в кремнии, например, частиц SiO2 в решетке Si увеличевает эффективность образования глубоких центров, создаваемых в запрещенной зоне полупроводника, присутствие же пленки SiO2, напротив, препятствует введению в объем кремния примесей Т-ионов