Приводятся результаты исследования фоточувствительности гетеропереходной Au-vGaAs:O-nCdS-nInP-Au структуры при различных режимах включения. Экспериментально показано, что независимо от возбуждаемой поверхности они отличаются фоточувствительностью в спектральном диапазоне 0,85-0,9 мкм и 1,31-1,55 мкм, что связано с фотогенерационными процессами в высокоомном арсениде галлия и фотоэмиссионными процессами из металла в полупроводник