Диффузионным способом легирования получены структуры Si и Si с глубоким p–n-переходом (30 мкм). Показано, что параметры кремниевых фотоэлементов с глубокозалегающим p–n-переходом улучшаются за счет легирования никелем. Исследовано влияние дополнительного температурного отжига при разных температурах образцов на формирование кластеров атомов никеля в решетке кремния и определены оптимальные условия для кластерообразования
MUALIFLAR
Teglar
# silicon# кремний# время жизни# lifetime# solar cell efficiency# Nickel doping# Nickel clusters# temperature annealing# gettering# эффективность фотоэлемента# легирование никелем# кластеры никеля# температурный отжиг# геттерирование