19 ноябр 2020
14Asosiy til:Ingliz
EFFECT OF TEMPERATURE ANNEALING ON THE EFFICIENCY OF NICKEL-DOPED SILICON SOLAR CELLS
Fan yo'nalishi:
file.pdf
MAQOLA ANNOTATSIYASI
Диффузионным способом легирования получены структуры Si и Si с глубоким p–n-переходом (30 мкм). Показано, что параметры кремниевых фотоэлементов с глубокозалегающим p–n-переходом улучшаются за счет легирования никелем. Исследовано влияние дополнительного температурного отжига при разных температурах образцов на формирование кластеров атомов никеля в решетке кремния и определены оптимальные условия для кластерообразования
MUALIFLAR
H.Iliev
ТАШКЕНТСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ ИСЛАМА КАРИМОВА
Z.Kenjaev
Каракалпакского Государственного Университета им. Бердаха
B.Isakov
ТАШКЕНТСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ ИСЛАМА КАРИМОВА
N.Narkulov
Национальный университет Узбекистана имени Мирзо Улугбека
Teglar
# silicon# кремний# время жизни# lifetime# solar cell efficiency# Nickel doping# Nickel clusters# temperature annealing# gettering# эффективность фотоэлемента# легирование никелем# кластеры никеля# температурный отжиг# геттерирование
Maqolani baholang
0
Maqola idintifikatorlari
DOI:
Mavjud emas
Foydalanilgan adabiyotlar
Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника