logo
calendar19 ноябр 2020
view2
Asosiy til:Ingliz

EFFECT OF TEMPERATURE ANNEALING ON THE EFFICIENCY OF NICKEL-DOPED SILICON SOLAR CELLS

Fan yo'nalishi:
pdf

file.pdf

PDF

MAQOLA ANNOTATSIYASI

quote
Диффузионным способом легирования получены структуры Si и Si с глубоким p–n-переходом (30 мкм). Показано, что параметры кремниевых фотоэлементов с глубокозалегающим p–n-переходом улучшаются за счет легирования никелем. Исследовано влияние дополнительного температурного отжига при разных температурах образцов на формирование кластеров атомов никеля в решетке кремния и определены оптимальные условия для кластерообразования

MUALIFLAR

Teglar

# silicon# кремний# время жизни# lifetime# solar cell efficiency# Nickel doping# Nickel clusters# temperature annealing# gettering# эффективность фотоэлемента# легирование никелем# кластеры никеля# температурный отжиг# геттерирование

Maqolani baholang

0

0 ta

Maqola idintifikatorlari

Foydalanilgan adabiyotlar

Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника

public

SLIB.uz — O'zbekiston ilmiy jurnallari va maqolalar yagona tizimda ilmiy nashirlarni bir joyda ko'rish, izlash va ulardan foydalanish imkonini beruvchi zamonaviy platforma.

Ijtimoiy tarmoqlarda
instagramtelegramyoutubefacebook

Bog'lanish uchun

Manzil:Chilonzor tumani Qatortol ko'chasi 60B

Tel:+998(55)511-44-00

Savol-javob va takliflar uchun

© 2026 Barcha huquqlar himoyalangan.