В статье методами спектроскопии упруго рассеянных электронов, Оже-электронной спектроскопии и измерения вторично-эмиссионных характеристик чистых и ионно-имплантированных образцов Si , а также диэлектрических плёнок SiO2 , полученных с применением термического окисления в атмосере сухого кислорода и имплантации ионов O2 с низкой энергией в монокристаллы кремния (III) исследованы изменения условий генерации и выхода вторичных электронов из образцов. Показано, что тонкая структура энергетичесних зависимостей коэффициентов вторичной электронной эмиссии и значения их для диэлектрическах плёнок SiO2 , определяется предысторией образцов. Плёнки SiO2, полученные имплантацией ионов O2 обладают хорошей адгезией, сплошностью и поверхностной гладкостью. Имплантация ионов Ba+ в SiO2 с большей дозой (~8∙1016cм-2 ) при малых энергиях (Е0 =1кеВ) приводит к кристаллизации отдельных участков имплантированной области плёнок. Кристаллизация аморфной пленки является одной из причин увеличения глубины зоны выхода истинно-вторичных электронов