19 Noyabr 2020
35Asosiy til:Rus
ВЛИЯНИЕ γ - ОБЛУЧЕНИЯ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ТЕРМОДАТЧИКА НА ОСНОВЕ Si < Ni >
Fan yo'nalishi:
file.pdf
MAQOLA ANNOTATSIYASI
В работе исследовано влияние γ-облучения на рабочие характеристики термодатчиков на основе Si Установлено, что чем меньше концентрация примесных атомов, тем больше сопротивление термодатчика и соответственно больше радиационная стойкость. Состояние герметизации достаточно стабильно сохраняется до дозы Ф>5·107р, а при более высоких дозах Ф>5·108Р герметизация практически разрушается. При этом в данном интервале доз надежность и омичность электрического контакта практически не изменяются. Стимулирующее действие больших доз γ-облучения приводит к увеличению коэффициента термочувствительности в разработанных термодатчиках на основе кремния легированного Ni.
MUALLIFLAR
SH.Ismoilov
НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ
S.Nasriddinov
НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ
D.Esbergenov
НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ
Teglar
# концентрация# concentration# radiation# радиация# удельное сопротивление# resistivity# γ-облучение# терморезистор# γ-radiation# thermistor
SHU JURNALDAGI BOSHQA MAQOLALAR
- DETERMINING THE LIFETIME OF MINORITY CHARGE CARRIERS AND IRON IMPURITY CONCENTRATION IN SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH SUBMICRON LAYERS
Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika · 28 Mart 2022
- THE POSITIVE FEEDBACK AMPLIFICATION MECHANISM OF THE INJECTION PHOTODIODE BASED ON LARGE-BLOCK CdTe FILMS
Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF RECOMBINATIONAL PROCESSES THROUGH PHOTOELECTRIC CONDUCTIVITY OF THE FILM OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON AND ITS MODIFICATION
Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF DEFECT FORMATION PROCESSES IN SILICON WITH IRON IMPURITY
Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika · 28 Mart 2022
- PHOTOELECTRIC MEASUREMENTS OF SELENIUM DOPED SILICON
Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika · 28 Mart 2022
- STRUCTURAL FEATURES OF THE THIN-FILM N-ZnO/P-Si HETEROJUNCTION
Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika · 28 Mart 2022
Maqolani baholang
0
5
4
3
2
1
Maqola idintifikatorlari
DOI:
Mavjud emas
Foydalanilgan adabiyotlar
Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника