В настоящей работе исследованы структуры полупроводник-диэлектрик-полупроводник типа pCdTe-TeO2-n SnO2 на основе тонких пленок pCdTe, имеющих столбча­тую структуру с размерами зерен 100 ÷ 150 μm. Сопротивление пленок pCdTe ρ ≈ 102÷103Ω·сm, толщина составляла d ≈ 70 ÷100 μm. Слой SnO2 n-типа наносились методом магнетронно -ионным распылением. Фоточувствительную структуру pCdTe-TeO2-n SnO2 можно широко использовать в качестве датчиков для регистрации рентгеновского и гамма-излучений