Pershenkov V.S, Popov V.D, Shalnov A.V Poverxnostnie radiatsionnie effekti v IMS. – M.; Energoatomizdat,1988.-S 187.

CHistov YU.S., Sinorov V.F. Fizika MDP –struktur . Voronej: VGU, 1986,-156.

Baraban A.P., Bulavinov V.V, Konora P.P. Elektronika sloev SiO2 na kremnii . L., LGU. 1988.-S 302.

Menshikova T.G., i dr. Vliyanie ioniziruyushego izucheniya na planarno – neodnorodnie MDP strukturi. Elektronika i informatika . Materiali mejdunarodnoy nauchno-texnicheskoy konferensii . Moskova 2005.CH.1. S139

Levin M.R., Tatarinsev A.B., Ivankov YU.V. Modelirovanie vozdeystviya ioniziruyushix izlucheniy na MDP strukturu .Kondensirovannie sredi i mejfaznie granitsi .2002 .t.4.№3.S195-202.

Menshikova T.G., Bormontov A.E., Ganja V.V., Vliyanie fluktuatsiy vstroennogo zaryada na elektrofizicheskie xarakteristiki MDP struktur. Vestnik VGU. Seriya :fizika .matematika ,2005, №1

Zaveryuxina B.N., Zaveryuxina N.N., Vlasov S.I , Zaveryuxina E.B. Akustostimulirovannonoe izmenenie plotnosti i energeticheskogo spektra poverxnostnix sostoyaniy v monokristallax r-kremniya .Pisma v JTF. 2008 tom 34,vip 6.S 36-42.

Vlasov S.I., Zaveryuxin B.N.,Ovsyannikon A.V., Vliyanie ultrazvukovoy obrabotki na generatsionnie xarakteristiki granitsi razdela polupprovodnik-steklo. Pisma v JTF.2009.tom 35 .vip 7.S 41-45.

Vlasov S.I. Ovsyannikov A.V., Ismoilov B.K., Kuchkarov B.X. Vliyanie ultrazvukovoy obrabotki na skorost formirovaniya zaryada inversionnogo sloya v strukturax metall- steklo –poluprovodnik . Materiali mejdunarodnoy nauchno – prakticheskoy koferensii . Strukturnaya relaksatsiya v tverdix telax . Vinnitsa .2012.S 234-236.

Zaynabidinov S.Z.,Vlasov S.I.,Nasirov A.A. Neravnovenie protsessi na granitse razdela poluprovodnik –dielektrik.-Tashkent, Universitet 1995.-S 113.

Vlasov S.I., Ovsyannikov A.V., Ismailov B.K., Kuchkarov B. Kh. Effect of presure on the properties of Al-SiO2-n-Si<Ni> structures. Semiconductor Physics, Quantum electronics and Optoelectronics. 2012. Vol. 15. № 2. P.166-169.