Berman L.S.Lebedev A.A.Emkostnaya spektroskopiya glubokix sentrov v poluprovodnikax.Leningrad.Nauka.1981.184 s.

Zerbst M.Ralaxation effects on holbeiter isolator- grenzflochen.Zangew.Phys.1962. № 30.P.22-29.

Abduraxmanov K.P.Berman L.S. Vlasov S.I.Kotov B.A.Issledovanie ostatochnix glubokix sentrov v strukturax metall-dielektrik-poluprovodnik yomkostnim metodom.FTP.1979 g.T.13.Vip.7.str.1447-1450.

Parchinskiy P.B.,Vlasov S.I.Generatsionnie xarakteristiki granitsi razdela kremniy-svinsovo-borosilikatnoe steklo. Mikroelektronika.2001.t.30.№ 6. str.466- 471

Kang J.S.Schroder D.K. The Pulsed MIS Capacitor.Phys.Stat.Sol.(a) 1985.89,13 ,P.13-43.

Vlasov S.I.,Ovsyannikov A.V.Skorost poverxnostnoy generatsii nositeley zaryada po granitse razdela poluprovodnik - steklo. Elektronnaya obrabotka materialov.2008 g.№ 1 (249) str.91-94.

Chistov Yu.S., Sinorov V.F. Fizika MOP-struktur.Voronej.VGU.1989.222 s.

Vlasov S.I., Parchinskij P.B., Ligaij L.G. Temperature Dependence of Carrier Generation at the Silicon-Lead-Borosi- licate-Glass Interface. Microelectronics. 2003. v. 32,№ 2, p. 95-98