1. Saidov A.S., Razzakov A.Sh., Risaeva V.A., Koschanov E.A. Materials chemistry and physics. Vol. 68, p.1-6. (2001). 2. Справочник химика / под.ред. Б.П. Никольского.- М-Л: Химия, 1982. Т.1, 384 с. 3. Саидов М.С. Гелиотехника. В.3, ст.4-10 (2001). 4. Стафеев В.И. Влияние сопротивления толщи полупроводника на вид вольтамперной характери- стики диода // ЖТФ.-Ленинград, 1958.- т.28, в.8.- С.1631-1641. 5. Адирович Э.И., Карагеоргий-Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю. Токи двойной инжекции в полупро- водниках.- М.: Советское радио, 1978. 6. Лейдерман А.Ю. Карагеоргий-Алкалаев П.М. К теории полупроводниковых приборов при высо- ких уровнях инжекции./ «Изв. АН РУз ССР. Сер.физ.мат.».-Т.,1965.-№5.-С.80-82. 7. Зеегер К. Физика полупроводников.- М.: Мир, 1977.- 616 с. 8. Leiderman A.Yu., Karageorgy-Alkalaev P.M. Sol. St. Commun., 27, 339 (1976). 9. Саидов А.С., Лейдерман А.Ю., Усмонов Ш.Н., Холиков К.Т. ФТП, 43(4), 436 (2009). 10. Саидов А.С., Саидов М.С., Усмонов Ш.Н., Асатова У.П. ФТП, 44(7), 970-977 (2010). 11. Усмонов Ш.Н., Мирсагатов Ш.А., Лейдерман А.Ю. ФТП 44(3), 330-334 (2010). 12. Карагеоргий-Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю. Фоточувствительность полупроводниковых струк- тур с глубокими примесями.- Т.: Фан, 1981.