21 июн 2021
1Asosiy til:Rus
ПЕРСПЕКТИВЫ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ И СТРУКТУР С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ В ОПТОЭЛЕКТРОНИКЕ И ФОТОВОЛЬТАИКЕ
Fan yo'nalishi:
60d038c1e33c1.pdf
MAQOLA ANNOTATSIYASI
Порали кремний асосидаги Шоттки барьерли структураларнинг ишлаш принципига асосланган ҳолда уларнинг оптоэлектроника ва фотовольтаикада қўллаш истиқболлари белгиланган. Кремний ва бошқа яримўтказгичли асосларга ва Шоттки барьерга эга бўлган қуёш фотоэлементларининг янги конструкцияси таклиф этилган.
MUALIFLAR
Teglar
# барьер Шоттки# фотовольтаика# optoelectronics# порали кремний# Шоттки барьери# оптоэлектроника# пористый кремний# porous silicon# Shottki’s barrier# photovoltaic elements
Maqolani baholang
0
Maqola idintifikatorlari
DOI:
Mavjud emas
Foydalanilgan adabiyotlar
1. P.C. Searcon, X.G. Zhang. J. Electrochem. Soc. v.137, p.2359 (1990). 2. Блынский В.И., Лазарук С.К., Малышев С.А., Мацкевич Т.П. Эффект усиления фототока в структу- рах Шоттки на пористом кремнии. // http://fep.tti.sfedu.ru/books/conferenc/pem2000/pape2/a077.pdf.html. 3. С.П. Зимин. ФТП, т. 34, в. 3, с. 359 (2000). 4. А.И.Лебедев. Физика полупроводниковых приборов.- М.: Физматлит, 2008. -488 с. 5. Н.Рахимов, О.К.Ушаков, Е.Ю.Кутенкова, С.Р.Алиев. Исследование МДП-структур и разработка оптоэлектронных приборов на их основе. // Научный вестник, 2011, №2, С. 14-17.