ПЕРСПЕКТИВЫ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ И СТРУКТУР С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ В ОПТОЭЛЕКТРОНИКЕ И ФОТОВОЛЬТАИКЕ

1. P.C. Searcon, X.G. Zhang. J. Electrochem. Soc. v.137, p.2359 (1990). 2. Блынский В.И., Лазарук С.К., Малышев С.А., Мацкевич Т.П. Эффект усиления фототока в структу- рах Шоттки на пористом кремнии. // http://fep.tti.sfedu.ru/books/conferenc/pem2000/pape2/a077.pdf.html. 3. С.П. Зимин. ФТП, т. 34, в. 3, с. 359 (2000). 4. А.И.Лебедев. Физика полупроводниковых приборов.- М.: Физматлит, 2008. -488 с. 5. Н.Рахимов, О.К.Ушаков, Е.Ю.Кутенкова, С.Р.Алиев. Исследование МДП-структур и разработка оптоэлектронных приборов на их основе. // Научный вестник, 2011, №2, С. 14-17.