logo
calendar21 июл 2021
view1
Asosiy til:Rus

ОСОБЕННОСТИ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОВЕРХНОСТНО-БАРЬЕРНЫХ СТРУКТУР МЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК С МИКРОРЕЛЬЕФНОЙ ГРАНИЦЕЙ РАЗДЕЛА И ВЛИЯНИЕ НА НИХ ГАММА-ОБЛУЧЕНИЯ

Fan yo'nalishi:
pdf

60f80194f2a62.pdf

PDF

MAQOLA ANNOTATSIYASI

quote
Ушбу иш Шоттки барьерини атом қувватини сканерлаш микроскопии ёрдамида ўрганилган микрорелеф интер фейси билан радиациявий ишлов бериш усулларини ўрганиш натижаларига бағишланган. Эквивалент схемадан фойдаланган ҳолда ва ток узатишнинг барча каналларини ва таглик қаршилигининг мавжудлигини хисобга олган ҳолда ВАХ егри чизиғининг таҳлил қилиш микрориелефли тузилмаларнинг радиациявий ишлов беришга нисбатан юқори даражада барқарорлигини курсатади.

MUALIFLAR

Teglar

# вольт-амперная характеристика# арсенид галлий# gallium arsenide# арсенид галлия# микрорельефная граница# microrelief border# IV-curve# микрорелефиели чегара# волт-ампер характеристика

Maqolani baholang

0

0 ta

Maqola idintifikatorlari

Foydalanilgan adabiyotlar

1. Dmitruk N.L., Mamykin S.V., Rengevych O.V. Formation, geometric and electronic properties of microrelief Au–GaAs interfaces //Applied Surface Science. 2000 V. 166, I. 1–4, p.97-102

2. Dmitruk N.L., Korovin A.V., Borkovskaya O.Yu., Dmytruk A.M., Mamontova I.B., Mamykin S.V. Plasmonic photovoltaics: Self-organized metal nanowires on the solar cell surface/interface//Proceedings of the 27th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition. 2012 p.408-411

3. Венгер Е.Ф., Дмитрук Н.Л., Яструбчак О.Б. Дифракционные решетки на поверхности полупроводников и их использование в поляритонной оптоэлектронике. // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1997. - Вып.32. - С.116-138.

4. Борковская О.Ю., Дмитрук Н.Л., Конакова Р.В., Литовченко В.Г., Тхорик Ю.А., Шаховцов В.И. Эффекты радиационного упорядочения в слоистых структурах на основе соединений А3В5. Препринт № 6. - Киев: ИФ УССР. - 1986.-68 с

5. Борковская О.Ю., Горбач Т.Я., Дмитрук Н.Л., Мищук О.А. Влияние микрорельефа поверхности на электрофизические характеристики в контакте металлполупроводник с барьером Шоттки. Фотоэмиссионные характеристики. // ФТП. - 1989. - 23. - № 12. - С.2113-2117.

6. Борковская О.Ю., Горбач Т.Я., Дмитрук Н.Л., Мищук О.А. Влияние микрорельефа поверхности на электрофизические характеристики в контакте металлполупроводник с барьером Шоттки. Вольтамперные характеристики контакта. // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. - 1989. - Вып.5. - С.50-55.

7. Браиловский Е.Ю., Конозенко И.Д. О дефектах, вводимых в GaAs n-типа при облучении -квантами 60Со. // ФТП. - 1968. - 2. - № 11. - С.1620-1622.

8. Belyaev A.E., Breza J., Venger E.F., Veseli M., Illin I.Yu., Konakova R.V., Liday J., Lyapin V.G., Milenin V.V., Prokopenko I.V., Tkhorik Yu.A. Radiation resistance of GasAs-based microwave Schottky-barrier devices. Kiev: Interpress Ltd. 1998. 127 p.

9. Belyaev A.E., Venger E.F., Ermolovich I.B., Konakova R.V., Lytvyn P.M., Milenin V.V., Prokopenko I.V., Svechnokov G.S., Soloviev E.A., Fedorenko L.I. Effect of micorwave and laser radiations on the parameters of semiconductor streuctures. Kiev: Intas. 2002. 191 p.

10. Danilchenko B. Budnyk A., Shpinar L., Poplavskyy D., Zelensky S.E., Barnham K.W.J., Ekins-Daukes N.J. 1 MeV electron irradiation influence on GaAs solar cell performance// Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 2008. V. 92, I. 11, p. 1336-1340

public

SLIB.uz — O'zbekiston ilmiy jurnallari va maqolalar yagona tizimda ilmiy nashirlarni bir joyda ko'rish, izlash va ulardan foydalanish imkonini beruvchi zamonaviy platforma.

Ijtimoiy tarmoqlarda
instagramtelegramyoutubefacebook

Bog'lanish uchun

Manzil:Chilonzor tumani Qatortol ko'chasi 60B

Tel:+998(55)511-44-00

Savol-javob va takliflar uchun

© 2026 Barcha huquqlar himoyalangan.