1. Джаманбалин К.К., Дмитриев А.Г. Дислокационная природа туннельного избыточного тока в структурах GaAs-Ni, модифицированного лазерным излучением. ФТП, 2000, т.34, вып.8, с.976-977.

2. Баимбетов Ф.Б., Джумамухамбетов Н.Г. Механизм воздействия лазерных импульсов на полупроводники AIIIBV. ФХОМ, 1999, №1, с.38-40.

3. Исмаилов К.А., Тагаев М.Б., Камалов А.Б., Бекбергенов С.Е. //Влияние лазерной обработки на электрические характеристики барьерных контактов к GaAs. Материалы IX Международной конференции «Физика полупроводников тонких пленок». –Ивано-Франковск, Украина, 19-24 мая 2003 г, с.79-80.

4. Мамонтов А.П., Чернов И.П. Эффект малых доз ионизирующего излучения.- М.: «Энергоатомиздат» 2001, 286с.

5. Исмаилов К.А., Тагаев М.Б., Статов В.А., Бекбергенов С.Е. Роль микрорельефа в изменении характеристик оксидсодержащих барьеров Шоттки Сr-GaAs под влиянием внешних воздействий. Материалы конференции «Фотоэлектрические явления в полупроводниках 2004»- Ташкент. 20-21 апреля 2003 г, с.35-36.

6. Андреева В.Д., Анисимов М.И., Джумамухамбетов Н.Г., «Дмитриев А.Г» Структура кристаллов GaAs<Te> модифицированных импульсным лазерным излучением. ФТП, 1990, т. 24, вып.6, с.1010-1012.

7. Воронков В.П., Калыгина В.М., Муленков С.Ю., Оборина Е.И., Сальман Е.Г., Смирнова Т.П. Влияние лазерного отжига на электрические характеристики МДП структур на основе GaAs. ФТП, 1992, т. 26, вып. 6, с.1120-1123.

8. Возмилова Л.Н., Гаман В.И., Калыгина В.М., Панин А.В., Смирнова Т.П. Влияние лазерного излучения на плотность электронных состояний границы раздела диэлектрик-арсенид галлия. ФТП, 1997, т.31, вып.4, с.492-497.