1. Мамонтов А.П., Чернов И.П. Эффект малых доз ионизирующего излучения. М.:«Энергоатомиздат»-2001.286 С

2. Диденко С.И., Кольцов Г.И., Ладыгин Е.А., Юрчук С.Ю. Влияние электронного облучения на электрофизические характеристики барьеров Шоттки на основе полупроводниковых соединений А3В5. //Физические свойства и методы исследования. -2000. -С.73-75.

3. Борковская О.Ю., Дмитрук Н.Л., Конакова Р.В., Литовченко В.Г. Радиационные эффекты в приграничной области фосфида галлия. //ЖТФ. -1982. –Т.52. -№ 6. –С.1194-1199.

4. Borkovskaya O.Yu., Dmitruk N.L., Konakova R.V. Litovchenko V.G., Shakhovtsov V. I. Influence of - and electron irradiation on recombination characteristics near the surface of GaAs. //Phys. Stat. Sol. -1980. (a) -V.58. -№1. –p.K25-K28.

5. Хакимов Т.М. Влияние радиационных воздействий на параметры диодов Шоттки Au-n-n+-GaP. //Изв. АН УзССР. -1985. -№ 2. –С.85-87.

6. А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, А.В. Бобыль, В.Н. Иванов, Л.М. Капитанчук, В.П. Кладько, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, А.А. Корчевой, О.С. Литвин, В.В. Миленин, С.В. Новицкий, В.Н. Шеремет. Радиационные эффекты и межфазные взаимодействия в омических и барьерных контактах к фосфиду индия, стимулированные быстрыми термическими обработками и облучением γ-квантами 60Со. ФТП, 2010, том 44, вып. 12. Стр. 1607-1614

7. Тагав М.Б. Влияние внещних воздействий на электрофизические свойства пространственно-неоднородных диодных структур// Диссертации на соискание ученой степени д.т.н., –Ташкент, 2001 г.