4. В.Д. Негрий, “Пьезоспектроскопия излучения винтовых дислокаций”, ФТТ, 1992, т.34, №8.

1. J. Petruzzello, D.J. Olego, X. Chu, J.P. Faurie, “Transmission electron microscopy of (001)ZnTe on (001)GaAs, grown by molecular beam epitaxy”, J. Appl. Phys., 1988, v.63, No5.

2. S. Guha, J.M. DePuydt, M.A. Haase, J. Qiu, and H. Cheng, “Degradation of II-VI based blue-green emitters”, Appl. Phys. Lett., 1993, Vol. 63, No 23.

3. Н.И. Тарбаев, Г.А. Шепельский “Одномерные структуры, образованные низкотемпературным скольжением дислокаций - источники дислокационного поглощения и излучения в полупроводниковых кристаллах AIIBVI”, ФТП, 1998, т.32, №6.

5. K.Kumazaki, F.Iida, K. Ohno, K. Hatano and K. Imai, “Lattice strain near interface of MBE-grown ZnTe on GaAs”, J. Cryst. Growth, 2009, vol.117.