logo
calendar4 Noyabr 2021
view31
Asosiy til:O'zbek

ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА n-GaAs – p-(GaAs)1-x(Ge2)Х ГЕТЕРОСТРУКТУР С НАНОКРИСТАЛЛАМИ ГЕРМАНИЯ

Fan yo'nalishi:
pdf

61836de7b5d14.pdf

PDF

Namangan davlat universiteti ilmiy axborotnomasi

Namangan davlat universiteti ilmiy axborotnomasi

Maqola chop etishsee more

MAQOLA ANNOTATSIYASI

quote
1,1 эВ фотон энергияли соҳа чегарасига ва As-Ge, Gе-Ge и Ga-Ge бирикмаларининг учта ташкил этувчиларига эга бўлган умумий Гаус чизиғи кўрсатилди. (GaAs)1-х(Ge2)x эпитаксиал қатлам сиртида нанооролчалар Ge кришма атомлари туфайли пойдо бўлиши аниқланди

MUALLIFLAR

A.Boboyev

Andijan State University

J.Usmanov

Andijan State University

X.Mahmudov

Andijan State University

M.Urinboyev

Andijan State University

A.Tojimuhammadov

Andijan State University

Teglar

# полупроводник# film# heterostructure# гетероструктура# подложка# substrate# яримўтказгич# semiconductor# epitaxy# single crystal# пленка# эпитаксия# монокристалл# таглик# гетеротузилма# твердый раствор.# solid solution.

SHU JURNALDAGI BOSHQA MAQOLALAR

Maqolani baholang

0
0 ta baho
5
4
3
2
1

Maqola idintifikatorlari

ROI:

https://eroi.uz/11.0031/A1121-0009

DOI:

Mavjud emas

Foydalanilgan adabiyotlar

С.С. Хлудков. Вестник Томского Государственного университета общенаучный периодический журнал. № 285, 2005, ст. 84-94.

M.S. Saidov. Low-temperature crystallization of semiconductor solid solutions that are promising for the realization of the extrinsic thermo photovoltaic effect. Applied Solar Energy. 2007, vol. 43, no 1, pp 45-48.

Журавлев К.С., Чикичев С.И., Штаске Р., Якушева Н.А. ФТП, 1990, Том 24, вып. 9. Ст.1645-1649.

S.Z. Zaynabidinov et al. Growth, Structure, and Properties of GaAs-Based (GaAs)1-xy(Ge2)x(ZnSe)y Epitaxial Films. Semiconductors, 2016, vol. 50, no. 1, pp. 59-65.

Ya. Aleshkin, A.A. Dubinov. J. Appl. Phys., 109, 123 107 (2011).

И.К. Полушина, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь.. ФТП, 1999, том 33, вып 6, ст. 697-700.

В.П. Хвостиков, Л.С. Лунин, В.И. Ратушный, Э.В. Олива, М.Э. Шварц, О.А. Хвостикова. Фотообразователи на основе GaAs/Ge гетероструктур, полученных методом низко температурной ЖЭФ. Письмо в ЖТФ.2003. 29(14) стр. 46-49

Дубровский В.Г., Теория формирования эпитаксиальных наноструктур. С. 486, (Москва:Физматлит: 2009).