4 ноябр 2021
5ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА n-GaAs – p-(GaAs)1-x(Ge2)Х ГЕТЕРОСТРУКТУР С НАНОКРИСТАЛЛАМИ ГЕРМАНИЯ
61836de7b5d14.pdf
MAQOLA ANNOTATSIYASI
MUALIFLAR
A.Boboyev
Andijan State University
J.Usmanov
Andijan State University
X.Mahmudov
Andijan State University
M.Urinboyev
Andijan State University
A.Tojimuhammadov
Andijan State University
Teglar
Maqolani baholang
0
Maqola idintifikatorlari
DOI:
Mavjud emas
Foydalanilgan adabiyotlar
С.С. Хлудков. Вестник Томского Государственного университета общенаучный периодический журнал. № 285, 2005, ст. 84-94.
M.S. Saidov. Low-temperature crystallization of semiconductor solid solutions that are promising for the realization of the extrinsic thermo photovoltaic effect. Applied Solar Energy. 2007, vol. 43, no 1, pp 45-48.
Журавлев К.С., Чикичев С.И., Штаске Р., Якушева Н.А. ФТП, 1990, Том 24, вып. 9. Ст.1645-1649.
S.Z. Zaynabidinov et al. Growth, Structure, and Properties of GaAs-Based (GaAs)1-xy(Ge2)x(ZnSe)y Epitaxial Films. Semiconductors, 2016, vol. 50, no. 1, pp. 59-65.
Ya. Aleshkin, A.A. Dubinov. J. Appl. Phys., 109, 123 107 (2011).
И.К. Полушина, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь.. ФТП, 1999, том 33, вып 6, ст. 697-700.
В.П. Хвостиков, Л.С. Лунин, В.И. Ратушный, Э.В. Олива, М.Э. Шварц, О.А. Хвостикова. Фотообразователи на основе GaAs/Ge гетероструктур, полученных методом низко температурной ЖЭФ. Письмо в ЖТФ.2003. 29(14) стр. 46-49
Дубровский В.Г., Теория формирования эпитаксиальных наноструктур. С. 486, (Москва:Физматлит: 2009).