Е. А. Татохин, А. В. Буданов, И. Ю. Бутусов, Л. В. Васильева, Е.А. Тутов. Вестник ВГУ, серия: Физика. математика, 2008, № 2. С. 60-70.

В.И.Фистуль. Введение в физику полупроводников. М.: Высшая школа, 1984. C. 352.

Юнусов М.С., Каримов М., Джалелов М.А. ФТП. Санкт–Петербург, 2001. Т- 35. №3. С. 317-320.

Влияние примеси меди на электрофизические и рекомбинационные свойства кремния при термо- и радиационном воздействии: диссертасия ... кандидата физико - математических наук: 01.04.07 / Махмудов Шерзод Ахмадович; [Место защиты: ИЯФ АН РУз ].- Ташкент, 2012. - 126 с.

А.Милнс. Примеси сглубокими уровнями в полупроводниках /Под ред. док. физ .- мат. наука М.К.Шейнкман. Мир, М.(1977) 502 с.

Каримов М., Махкамов Ш., Турсунов Н.А., Махмудов Ш.А., Бегматов К.А., Караходжаев А.К., Садиков А.Х. Кинетика релаксации фотопроводимости в кремнии р-типа, компенсированном атомами фосфора // Известия вузов. Физика. 2009 г., № 5. С. 9-12.

М.Ю. Ташметов, Ш.А. Махмудов, А.А. Сулаймонов, А.К. Рафиков, Б.Ж. Абдурайимов. Фотодатчики на основе нейтронного легированного кремния. Гелиотехника, 2018. Вып. 6. С. 61-64.

Кожемяко А.В., Евсеев А.П., Балакшин Ю.В., Шемухин А.А. Физика и техника полупроводников. 2019, выпуск 6, С. 810.

М.Каримов, А.К.Караходжаев. Известия вузов. Физика, 7, 54 (2001).

А.А. Istratov , E.R. Weber. Арр1. Phys. А 66, 123 (1998).

Сухоруков А.В., Ежевский А.А., Гусев А.В., Гусейнов Д.В., Попков С.А. Процессы спиновой релаксации электронов проводимости в кремнии с различным изотопным составом.Журнал. Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. 2010. №5 (2), С. 335-338

Джуплин В.Н. Дефектообразование в кремнии под пленками никеля при термообработке. Журнал «Известия ЮФУ. Технические науки» 2000 г.№5, С. 16-21.

С.З.Зайнабидинов, Х.С.Далиев. Дефектообразование в кремнии. Университет, Ташкент (1993) 190 с.

С.Зайнабидинов. Физические основы образования глубоких уровней в кремнии. Фан,Ташкент (1984) 168 с.

D.V. Lang . J. Appl. Phys. 45, 3023 (1974)