1 ноябр 2019
1Asosiy til:Ingliz
SIMULATION OF PARAMETERS OF nGe- pSi1-XGeX DIODE STRUCTURES ON TCAD SENTAURUS
Fan yo'nalishi:
5dbc2e351fd22.pdf
MAQOLA ANNOTATSIYASI
я. Бу мақолада, pSi1-xGex қаттиқ қотишмалар ва улар асосидаги диод структураларнинг параметрларини моделлаштириш амалга оширилган. Synopsys TCAD (Technology Computer Aided Design) Sentaurus дастуридан фойдаланиб, қаттиқ қотишманинг ман қилинган зона кенглигининг таркибга боғланиши, шунингдек, гетероструктура вольт ампер характеристикасининг қатламдаги заряд ташувчилар концентрацияси ва таркибга боғланиши моделлаштирилган
MUALIFLAR
Teglar
# solid solution# band gap energy# твердый раствор# heterogeneous junction# molar composition# impurity# : твердый раствор# гетеропереход# ширина запрещенной зоны# мольный состав# легирующая примесь
Maqolani baholang
0
Maqola idintifikatorlari
DOI:
Mavjud emas