logo
calendar1 Noyabr 2019
view34
Asosiy til:Ingliz

SIMULATION OF PARAMETERS OF nGe- pSi1-XGeX DIODE STRUCTURES ON TCAD SENTAURUS

Fan yo'nalishi:
pdf

5dbc2e351fd22.pdf

PDF

MAQOLA ANNOTATSIYASI

quote
я. Бу мақолада, pSi1-xGex қаттиқ қотишмалар ва улар асосидаги диод структураларнинг параметрларини моделлаштириш амалга оширилган. Synopsys TCAD (Technology Computer Aided Design) Sentaurus дастуридан фойдаланиб, қаттиқ қотишманинг ман қилинган зона кенглигининг таркибга боғланиши, шунингдек, гетероструктура вольт ампер характеристикасининг қатламдаги заряд ташувчилар концентрацияси ва таркибга боғланиши моделлаштирилган

MUALLIFLAR

S.Saidov

UrDU

U.Asatova

UrDU

SH.Ismailov

UrDU

SH.Usmonov

UrDU

Teglar

# solid solution# band gap energy# твердый раствор# heterogeneous junction# molar composition# impurity# : твердый раствор# гетеропереход# ширина запрещенной зоны# мольный состав# легирующая примесь

SHU JURNALDAGI BOSHQA MAQOLALAR

Maqolani baholang

0
0 ta baho
5
4
3
2
1

Maqola idintifikatorlari

Foydalanilgan adabiyotlar