разработан новый метод исследования влияния высокого давления на уровни электронов Ландау в полупроводниках. Исследовано влияние давления на осцилляции эффектов Шубникова - де Гааза и де Гааз - ван Альфена в полупроводниках. Теоретические результаты сравниваются с экспериментальными результатами. Показано, что влияниедавления на ширину запрещенной зоны существенно проявляется на величине осцилляций в ффектах Шубникова - де Гааза и де Гааз - ван Альфена в полупроводниках.