13 июл 2022
2Asosiy til:Ingliz
INVESTIGATION OF POLYCRYSTALLINE SILICON AND CADMIUM TELLURIDE BASED STRUCTURES PROPERTIES
Fan yo'nalishi:
file.pdf
MAQOLA ANNOTATSIYASI
p-CdTe-SiO2-SI гетероструктурани чуқур ушлагич (сатҳ) ва ассиметрик микро потенциал тўсиқларнинг мавжудлиги оптик спектрал эсда олиш қобилиятига ижобий таъсир этиши кузатилган. Унда эса олиш қобилиятининг релаксация вақти 25 суткани ташкил этади. Бундай гетероструктуранинг нафақат синганларни эсда олиб қолиши, балки уларни йиғиш қобилиятига эга бўлган оптоэлектрон спектрал ячейкалар сифатида ҳам фойдаланиш мумкинлиги кўрсатилган.
MUALIFLAR
Teglar
# фотопроводимость# photoconductivity# deep levels# фотоўтказувчанлик# фотоэлектр ҳаракатлантирувчи куч# фотосезувчанликнинг тарқалиш спе# токнинг қисқа туташув асимметрия# юзаки фото efm# паст даражалар# фотоэлектрическая движущая сила# спектр распределения фоточувстви# нарушение асимметрии короткого з# поверхностное фото efm# низкие уровни# photo-electromotive force# spectrum distribution of photose# short circuit current barrier as# surface photo efm
Maqolani baholang
0
Maqola idintifikatorlari
DOI:
Mavjud emas
Foydalanilgan adabiyotlar
1. Krasnikov G.Y. Design and technological features of submicron MOSFETs. M. Tekhnosfera 2002. Part 1. 416.
2. Goldman E.I., Zhdan A.G., Chucheva G.V. Transport of free ions on insulator layer and the effects of electron-ion exchange at the interface with the semiconductor-insulator thermally stimulated depolarization ionic Si-MOS structures / / FTP. - 1999. - № 8.
3. Shustov M.A., Protasevich E.T. Electric-Photo. – Tomsk. 1999. р. 244.
4. Юодвиршис А., Микалкявичюс М., Венгрис С. Основы физики полупроводников. Вильнюс. Моклас. 1958-352с.
5. Guerrieri R., Giampolini P., Gnidi A., IEEE Tranacactions on Electron Devieces. 1986., V.ED - 33. № -8., P.1201-1206