logo
calendar13 Iyul 2022
view24
Asosiy til:O'zbek

ЭЛЕМЕНТЫ ПАМЯТИ НА ОСНОВЕ ПЛЕНОЧНОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ p- CdTe - SiO2 - Si

Fan yo'nalishi:
pdf

file.pdf

PDF

FarDU Ilmiy Xabarlari

FarDU Ilmiy Xabarlari

Maqola chop etishsee more

MAQOLA ANNOTATSIYASI

quote
p- CdTe - SiO2 - Si гетеротузилмасида оптик спектрал хотира - чуқур ушлагич (сатҳ)лар ва асимметрик микропотенциал тўсиқларнинг мавжудлиги учун зарур бўлган шароитлар осонликча амалга оширилади. Унда эсга олиш қобилиятининг релаксация вақти 25 суткани ташкил этади. Бундай гетероструктурадан нафақат сигналларни эсда олиб қолиш, балки уларни йиғиш қобилиятига эга бўлган хотиранинг оптоэлектрон спектрал ячейка (уя) сифатида ҳам фойдаланиш мумкинлиги кўрсатилган

MUALLIFLAR

Teglar

# фотопроводимость# фотоприемник# фотосезгирлик# фоточувствительность# қисқа туташув токи# photoconductivity# : фотоўтказувчанлик# микропотенциал тўсиқ# спектрал эсда олиб қолиш# фотоқабулқилгич# микропотенциальный барьер# ток короткого замыкания# спектральная память# micropotential barrier# current of shortcut circuit# photosensibility# spectral memory# optical detector

SHU JURNALDAGI BOSHQA MAQOLALAR

Maqolani baholang

0
0 ta baho
5
4
3
2
1

Maqola idintifikatorlari

ROI:

https://eroi.uz/11.0106/A0722-0141

DOI:

Mavjud emas

Foydalanilgan adabiyotlar

3. Вайткус Ю.Ю., Отажонов С.М. Поверхность. – Москва: Наука, 3 стр. 44-49 (1999).

4. Абдуллаев Э.А., Вайткус Ю.Ю., Отажонов С.М. Запоминающее устройство. Патент. I НДР РУз № 9700869.1. от 15.03.99 168 стр

1. Шейнкман М.К. Шик А.Я.. ФТП. 10. стр. 209 (1976)

2. Отажонов С.М. Физическая инженерия поверхности. Украина, том 2, №1-2, стр 28-31 (2004) ъ