13 июл 2022
1Asosiy til:O'zbek
ЭЛЕМЕНТЫ ПАМЯТИ НА ОСНОВЕ ПЛЕНОЧНОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ p- CdTe - SiO2 - Si
Fan yo'nalishi:
file.pdf
MAQOLA ANNOTATSIYASI
p- CdTe - SiO2 - Si гетеротузилмасида оптик спектрал хотира - чуқур ушлагич (сатҳ)лар ва асимметрик микропотенциал тўсиқларнинг мавжудлиги учун зарур бўлган шароитлар осонликча амалга оширилади. Унда эсга олиш қобилиятининг релаксация вақти 25 суткани ташкил этади. Бундай гетероструктурадан нафақат сигналларни эсда олиб қолиш, балки уларни йиғиш қобилиятига эга бўлган хотиранинг оптоэлектрон спектрал ячейка (уя) сифатида ҳам фойдаланиш мумкинлиги кўрсатилган
MUALIFLAR
Teglar
# фотопроводимость# фотоприемник# фотосезгирлик# фоточувствительность# қисқа туташув токи# photoconductivity# : фотоўтказувчанлик# микропотенциал тўсиқ# спектрал эсда олиб қолиш# фотоқабулқилгич# микропотенциальный барьер# ток
короткого замыкания# спектральная память# micropotential barrier# current of shortcut circuit# photosensibility# spectral memory# optical detector
Maqolani baholang
0
Maqola idintifikatorlari
DOI:
Mavjud emas
Foydalanilgan adabiyotlar
3. Вайткус Ю.Ю., Отажонов С.М. Поверхность. – Москва: Наука, 3 стр. 44-49 (1999).
1. Шейнкман М.К. Шик А.Я.. ФТП. 10. стр. 209 (1976)
2. Отажонов С.М. Физическая инженерия поверхности. Украина, том 2, №1-2, стр 28-31 (2004) ъ
4. Абдуллаев Э.А., Вайткус Ю.Ю., Отажонов С.М. Запоминающее устройство. Патент. I НДР РУз № 9700869.1. от 15.03.99 168 стр