logo
calendar14 Iyul 2022
view25
Asosiy til:Rus

ЭЛЕМЕНТЫ ПАМЯТИ НА ОСНОВЕ ПЛЕНОЧНОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ p- CdTe - SiO2 - Si

Fan yo'nalishi:
pdf

file.pdf

PDF

MAQOLA ANNOTATSIYASI

quote
p- CdTe - SiO2 - Si гетеротузилмасида оптик спектрал хотира - чуқур ушлагич (сатҳ)лар ва асимметрик микропотенциал тўсиқларнинг мавжудлиги учун зарур бўлган шароитлар осонликча амалга оширилади. Унда эсга олиш қобилиятининг релаксация вақти 25 суткани ташкил этади. Бундай гетероструктурадан нафақат сигналларни эсда олиб қолиш, балки уларни йиғиш қобилиятига эга бўлган хотиранинг оптоэлектрон спектрал ячейка (уя) сифатида ҳам фойдаланиш мумкинлиги кўрсатилган.

MUALLIFLAR

S.Otajonov

National Universitet of Uzbekistan

N.Alimov

National Universitet of Uzbekistan

G.Hayitova

National Universitet of Uzbekistan

Teglar

# ток короткого замыкания# фотопроводимость# фотоприемник# фотосезгирлик# фоточувствительность# қисқа туташув токи# photoconductivity# фотоўтказувчанлик# микропотенциал тўсиқ# спектрал эсда олиб қолиш# фотоқабулқилгич# микропотенциальный барьер# спектральная память# micropotential barrier# photosensibility# spectral memory# optical detector# current of shortcut circuit

SHU JURNALDAGI BOSHQA MAQOLALAR

Maqolani baholang

0
0 ta baho
5
4
3
2
1

Maqola idintifikatorlari

Foydalanilgan adabiyotlar

1. Шейнкман М.К. Шик А.Я.. ФТП. 10. стр. 209 (1976)

2. Отажонов С.М. Физическая инженерия поверхности. Украина, том 2, №1-2, стр 28-31 (2004) ъ

3. Вайткус Ю.Ю., Отажонов С.М. Поверхность. – Москва: Наука, 3 стр. 44-49 (1999).

4. Абдуллаев Э.А., Вайткус Ю.Ю., Отажонов С.М. Запоминающее устройство. Патент. I НДР РУз № 9700869.1. от 15.03.99 168 стр.