14 июл 2022
1Asosiy til:Rus
ЭЛЕМЕНТЫ ПАМЯТИ НА ОСНОВЕ ПЛЕНОЧНОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ p- CdTe - SiO2 - Si
Fan yo'nalishi:
file.pdf
MAQOLA ANNOTATSIYASI
p- CdTe - SiO2 - Si гетеротузилмасида оптик спектрал хотира - чуқур ушлагич (сатҳ)лар ва асимметрик микропотенциал тўсиқларнинг мавжудлиги учун зарур бўлган шароитлар осонликча амалга оширилади. Унда эсга олиш қобилиятининг релаксация вақти 25 суткани ташкил этади. Бундай гетероструктурадан нафақат сигналларни эсда олиб қолиш, балки уларни йиғиш қобилиятига эга бўлган хотиранинг оптоэлектрон спектрал ячейка (уя) сифатида ҳам фойдаланиш мумкинлиги кўрсатилган.
MUALIFLAR
Teglar
# ток короткого замыкания# фотопроводимость# фотоприемник# фотосезгирлик# фоточувствительность# қисқа туташув токи# photoconductivity# фотоўтказувчанлик# микропотенциал тўсиқ# спектрал эсда олиб қолиш# фотоқабулқилгич# микропотенциальный барьер# спектральная память# micropotential barrier# photosensibility# spectral memory# optical detector# current of shortcut circuit
Maqolani baholang
0
Maqola idintifikatorlari
DOI:
Mavjud emas
Foydalanilgan adabiyotlar
1. Шейнкман М.К. Шик А.Я.. ФТП. 10. стр. 209 (1976)
2. Отажонов С.М. Физическая инженерия поверхности. Украина, том 2, №1-2, стр 28-31 (2004) ъ
3. Вайткус Ю.Ю., Отажонов С.М. Поверхность. – Москва: Наука, 3 стр. 44-49 (1999).
4. Абдуллаев Э.А., Вайткус Ю.Ю., Отажонов С.М. Запоминающее устройство. Патент. I НДР РУз № 9700869.1. от 15.03.99 168 стр.