Saidov A.S., Zainabidinov S.Z., Kalanov M.U., Boboev A.Y., Kutlimurotov B.R. Applied Solar Energy. 2015, Volume 51, Issue 3, pp 206-208.

Марончук И.Е., Марончук А.И., Кулюткина Т.Ф., Найденкова М.В., Чорный И.В. Поверхность, рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования/- № 12:- 97 (2005).

Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Щукин В.А., Копьев П.С., Алферов Ж.И., Бимберг Д., ФТП, 1998. 32, № 4. 385-411.

Рухленко, И.Д. Динамика спектроскопических переходов в квантовых точках, встроенных в полупроводниковые гетероструктуры. Дис... канд. физ.-мат. наук, Санкт-Петербург: 2006. 157 с.

Марончук И.Е., Кулюткина Т.Ф., Марончук И.И., Быковский С.Ю. Жидкофазная эпитаксия и свойства наногетероструктур на основе соединений III-V. Наносистемы, наноматериалы, нанотехнологии. 2012. Том 10 № 1. С. 77-88.

Boboev A.Y. et al. Photoelectric proper tric properties of n-GaAs–p-(GaAs)1-x(Ge2) heterostructures with germanium nanocrystals. Scientific Bulletin of Namangan State University. 2020. Vol.2(1) pp. 58-62.

Дубровский В.Г. Теория формирования эпитаксиальных наноструктур.- М/: Физматлит: 2009.

Zainabidinov S.Z., Saidov A.S., Leiderman A.Yu., Kalanov M.U., Usmonov Sh.N. and Boboev A.Yu. Semiconductors, 2016, Vol. 50, No. 1, pp. 59–65.