logo
calendar23 Iyul 2022
view28
Asosiy til:O'zbek

ЯРИМ ЎТКАЗГИЧЛАРДА ЗАРЯД ТАШУВЧИЛАР РЕКОМБИНАЦИЯСИ ВА УНИНГ ЯШАШ ВАҚТИГА ТАЪСИРИ

Fan yo'nalishi:
pdf

62dbc9771d437.pdf

PDF

Innovatsion texnologiyalar

Innovatsion texnologiyalar

Maqola chop etishsee more

MAQOLA ANNOTATSIYASI

quote
The article focuses on the photoelectric phenomena in semiconductors, as well as the influence of impurity atoms and recombination processes on the photosensitivity of photocells. The relationship between the recombination rate in semiconductors and the concentration of nonequilibrium charge carriers formed under the action of light has been explained. The dependence of the lifetime of charge carriers on the location of recombination centers has also been shown.

MUALLIFLAR

M.Aliqulov

QarMII

Teglar

# рекомбинация# silicon# кремний# время жизни# lifetime# generation# recombination# генерация# носитель# ловушка# carrier# trap

SHU JURNALDAGI BOSHQA MAQOLALAR

Maqolani baholang

0
0 ta baho
5
4
3
2
1

Maqola idintifikatorlari

ROI:

https://eroi.uz/11.0032/A0722-0002

DOI:

Mavjud emas

Foydalanilgan adabiyotlar

Бочкараева Н.И., Ребане Ю.Т., Шритер Ю.Г. Рост скорости рекомбинации Шокли-Рида-Холла в квантовых ямах InGaN/GaN как основной механизм падения эффективности светодиодов при высоких уровнях инжекции. //Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, вып. 12, с.1714-1719.

Dyakonov M.I., Kachorovskii V.Y. Nonthreshold Auger recombination in quantum wells //Phys.Rev. B.American Physical Society, 1994. Vol. 49. №24. P.17130-17138.

Krishnamurthy S.,Berding M.A. Yu.Z.G. Minority carrier lifetimes in HgCdTe alloys// J/Electron. Mater.Springer-Verlag, 2006. Vol.35, №6, P.1369-1378.

Casselman T.N., Petersen P.E. A comparison of the dominant Auger transitions in p-type (Hg, Cd)Te// Solid State Commun. 1980. Vol.33, №6, P.615-619.

Iveland J., Piccardo M.,Martinelly L., Peretti J., ChoiJ.W., Young N., Nakamura S., Speck J.S., Weisbuch C. //Appl.Phus.Lett.,105,052103(2014).

Яковлева Н.И. Механизмы Оже-рекомбинации в узкозонных полупроводиноковых структурах HgCdTe. //Успехи прикладной физики, 2018, том 6, №2, с.130-139.

Alikulov M.N. The effect of recombination processes on the photosensitivity of semiconductor colar cells. Journal of Critical Reviews vol 7. 2020 pp. 66-69.

Аликулов М.Н. Зоналараро рекомбинация тезлигининг ярим ўтказгичлар зоналарининг тузилишига боғлиқлиги. “Инновацион технологиялар” журнали №3, Қарши 2020 йил, 36-39 бет.