9 август 2022
2Asosiy til:O'zbek
ЭЛЕМЕНТЫ ПАМЯТИ НА ОСНОВЕ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ P-CDTE-SIO 2 -SI-AL.
Fan yo'nalishi:
file.pdf
MAQOLA ANNOTATSIYASI
P-CdTe-SiO 2 -Si-Al гетеротузилмасида асимметрик микропотенциал барьерлар ва чуқур тутқичларнинг мавжудлиги – спектрал оптик хотира учун зарур шароитларни яратади. Релаксация вақти 25 сутка атрофида. Гетеротузилмадан оптоэлектрон спектрал хотира ячейкаси сифатида фойдаланиш мумкин, бунда у сигналларни нафақат сақлабгина қолмасдан, уларни жамлаб ҳам боради.
MUALIFLAR
Teglar
# электропроводность# глубокий уровень# ток короткого замыкания# электрўтказувчанлик# фотосезгирлик# фоточувствительность# photosensitivity# deep level# фото-ЭДС# коронный разряд# short circuit current# қисқа туташув токи# потенциал тўсиқ# фото-ЭЮК# тож
разряди# чуқур сатҳ# потенциальный
барьер# potential barrier# the photo-emf# corona
discharge# electric conductivity
Maqolani baholang
0
Maqola idintifikatorlari
DOI:
Mavjud emas
Foydalanilgan adabiyotlar
1. Шейнкман М.К., Шик А.Я.//ФТП. - 1976. - № 10.
2. Отажонов С.М.//Физическая инженерия поверхности. - 2004. - Т. 2, № 1-2.
3. Вайткус Ю.Ю., Отажонов С.М.//Поверхность. АН России. - 1999. - № 3.
4. Абдуллаев Э., Вайткус Ю., Отажонов С. Запоминающее устройство. // Патент. I НДР РУз. № 9700869.1. от 15.03.99.