[1]. Гуревич И.Л., Паршин Д.А., Штенгель К.Э.// ФТТ. 1988. Т.30. № 5. -С.1465-1475

[2]. Men К.Э., Pan O.S. // Appl.Phys.Lett. 1992. V.61. №23. P. 2799-2801.;

[3].Chang Y-Ch, R.BJames // Phys.Rev. B. 1989.V.391N 17. P.12672-12681.

[4]. J.D,Sanders, K.K. Rejej//Phys.Rev. B. 1987-11. V.36. N 9. P.4849-4857.;

[5]. H.H.Chang, M.P.Houng, Y.H.Wang, Y.Chang//Appl.Phys.Lett. 1992. V.61. №5. P. 509-511.

[6]. B.V.Levine, R.J.Malik, J.Welker, K.K.Choy, C.C.Bethea, D.A.Kleinman, J.M.Vandenberg // Appl.Phys.Lett. 1987. V.50. № 2. P. 273-275

[7]. G.Hasnain, B.V.Levine, C.C.Bethea, R.A.Login, J.Welker, R.J.Malik//Appl.Phys.Lett. 1989. V.54. № 25. P. 2515-2517.

[8]. Р.Я.Расулов, Т.Эски, Ю.Е.Саленко //ФТТ. 1998. Т. 40. В. 7. -С. 1347-1349.

[9]. Дьяконов М.И., Хаецкий А.В. //ЖЭТФ, 1982, Т. 82, в.5, -С. 1584-1590.;

[10]. Д.А.Паршин, А.Р. Шаб'аев 7/ ЖЭТФ. 1987. Т. 92. № 4. -С.1471-1484.;

[И]. Бир ГЛ.. Пикус Г.Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. М.: Наука, 1973. -С.754.;

[12] Р.Я.Расулов. Дисс. на соиск. уч. ст. д. ф.-м.н. Л.: 1983. -С.286.;

[13]. И.А.Меркулов, В.И.Перель, М.Е.Портной//ЖЭТФ. 1991. Т. 99. №4.-С. 1202-1214.