Taus J. // The optical properties of solid (ed F. Abeles), 1970, North-Holland, Amsterdam.

Зайнобидинов‖ С.,‖ Икрамов‖ Р.Г.,‖ Жалалов‖ Р.М.,‖ Нуритдинова‖ М.А.‖ Распределения‖ плотности‖ электронных‖ состояний‖ в‖ разрешенных‖ зонах‖ и‖ межзонные‖ поглощения‖ в‖ аморфных‖полупроводниках.‖//Оптика‖и‖спектроскопия.‖2011,‖Т.‖110,‖№‖5.‖с.‖813-818.

‖Фистул‖В.И.‖Введения‖в‖физику‖полупроводников.‖Москва,‖Высшая‖‖школа,‖1984.

Икрамов Р.Г.‖ Функчия‖ распределения‖ электронных‖ состояний‖ оборванных‖ связей‖ в‖ аморфных‖полупроводниках.‖Естественные‖и‖технишеские‖науки, 2007,‖6,‖с.‖58-63.

Зайнобидинов‖ С.,‖ Икрамов‖ Р.Г.,‖ Жалалов‖ Р.М.‖ Энергия‖ Урбаха‖ И‖ хвосты‖ плотности‖ состояний‖аморфных‖полупроводников.‖Журнал прикладной спектроскопии. 2011, Т. 78, №‖2.‖с. 243-247.

Davis E.A., Mott N.F. Electronic Processes in Non Crystalline Materials. // Clarendon Press, Oxford, 1979

Наджафов‖ Б.А.‖ Оптишеские‖ свойства‖ тонких‖ пленок‖ a-Si1-xGex:H (x=0-1). International Journal‖of‖Applied‖and‖Fundamental‖Research.‖2017,‖№1,‖p.‖20-26Наджафов‖ Б.А.‖ Оптишеские‖ свойства‖ тонких‖ пленок‖ a-Si1-xGex:H (x=0-1). International Journal‖of‖Applied‖and‖Fundamental‖Research.‖2017,‖№1,‖p.‖20-26

Джалилов‖ Н.З.,‖ Дамиров‖ Г.М.‖ Поглощение‖ и‖ спектры‖ оптишеских‖ параметров‖ в‖ аморфных‖твердых‖растворах‖системы‖Se-S. Физика‖и‖техника‖полупроводников.‖2011,‖Т.‖ 45,‖Вып.‖4.‖с.500-505.

Наджафов‖ Б.А.‖ Оптишеские‖ свойства‖ тонких‖ пленок‖ a-Si1-xGex:H (x=0-1). International Journal‖of‖Applied‖and‖Fundamental‖Research.‖2017,‖№1,‖p.‖20-26

Рывкин С.М. Фотоэлектришеские явления в полупроводниках. Москва,‖Гос.‖Из. Физ.- мат.‖Лит.‖1963.