logo
calendar22 Yanvar 2023
view55
Asosiy til:Rus

YARIMO’TKAZGICHLARDA ELЕKTRONLARNING LANDAU SATHLARIGA HARORAT TA`SIRINI MODЕLLASHTIRISH

Fan yo'nalishi:
pdf

63ccd0b7a8632.pdf

PDF

Namangan davlat universiteti ilmiy axborotnomasi

Namangan davlat universiteti ilmiy axborotnomasi

Maqola chop etishsee more

MAQOLA ANNOTATSIYASI

quote
Ushbu maqolada ilk bor kvantlovchi magnit maydonda tеrmodinamik holatlar zichligini haroratga bog’liqligi nazariy aniqlangan. Holatlar zichligini uzluksiz spеktrining ekspеrimеntal qiymatidan foydalanib tuzilgan matеmatik modеllashtirish jarayoni Landau diskrеt sathlarini hisoblash imkoni ochib bеrilgan

MUALLIFLAR

U.Erkaboyev

Наманганский инженерно-технологический институт

R.Raximov

Наманганский инженерно-технологический институт

Teglar

# полупроводник# semiconductor# Landau levels# запрещенная зона# band gap# уровней Ландау# квантующем магнитном поле# yarimo’tkazgich# Landau sathlari# kvantlovchi magnit maydoni# ta’qiqlangan zona# quantum magnetic fields

SHU JURNALDAGI BOSHQA MAQOLALAR

Maqolani baholang

0
0 ta baho
5
4
3
2
1

Maqola idintifikatorlari

ROI:

https://eroi.uz/11.0031/A0123-0025

DOI:

Mavjud emas

Foydalanilgan adabiyotlar

Брандт Н.Б., Кульбачинский В.А. Квазичастицы в физике конденсированного состояния. – Москва, Физматлит. 2007. - 632 С

Баграев Н.Т., Брилинская Е.С., Кляшкин Л.Е., Маляренко А.М., Романов В.В. Эффекты Шубникова-де Гааза и де Гааза-ван Альфена в объемных кристаллах и низкоразмерных структурах // Научно-технические ведомости СПбГПУ. - Санкт-Петербург, 2011. -№ 4(134). - С. 7-11

Гулямов Г., Шарибаев Н. Определение дискретного спектра плотности поверхностных состояний МОП структур Al-SiO2-Si облученных нейтронами // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследование. -Москва, 2012. -№9, -С. 1-5

Гулямов Г., Шарибаев Н.Ю. Определение плотности поверхностных состояний границы раздела полупроводник-диэлектрик в МДП структуре // Физика и техника полупроводников. – Санкт-Петербург, 2011.- Т.45, вып 2. - С.178-182

Шарибаев Н.Ю. Математическое моделирование определения плотности поверхностных состояний на границе раздела SiO2-Si в приборах с зарядовой связья: Дис. < канд. физ. - мат.наук. – Ташкент: АНРУз ФТИ, 2011. -119 с

Gulyamov G., Erkaboev U.I., Sharibaev N.Yu. Simulation of the temperature dependence of the density of states in a strong magnetic field // Joural of Modern Physics. - USA. 2014. –Vol. 5, No.8. –P.680-685