[1]Зикриллаев, Н.Ф., Аюпов, К.С., Шоабдурахимова, М.М., Уракова, Ф.Э., Неъматов, О.С. Автоколебательные процессы в кремнии, проблемы иперспективы исследования и применение их в электронике. Электронная обработка материалов. (2003), т. 59, в. 5, с. 56-71. [2]Голик, Л.Л., Паксеев, В.Е., Балкарей, Ю.И., Елисон, М.И., Ржанов, Ю.А., Якушкин, В.К. Автоколебательные режимы в кристаллах сульфида кадмия при наличии температурной электрической неустойчивостью. Физика и техника полупроводников. (1984), т. 18, в. 3, с. 502. [3]Arzikulov, Eshkuvat U., Radzhabova, M., Quvondiqov, Sh.J., Gulyamov, G. Mechanisms of current transition in high compensated silicon samples with zinc nanoclusters. East European Journal of Physics. (2023), 3, pp. 400-405. [4]Саъдуллаев, А.Б., Мулканов, Р.В., Умиров, А.П., Бобакулов, З.А. Влияние концентрации электроактивных компенсирующих примесей марганца на температурную область существования автоколебания тока типа температурно-электрической неустойчивости (ТЭН). Universum: технические науки: электроника.(2022), т. 8, в. 101, с. 5-8. [5]Zikrillaev, Nurulla F., Ayupov, Kutup S., Shoabdurakhimova, Manzura M., Urakova, Feruza E., Abduganiev, Yoldoshali A., Sattorov, Abdujalol A., Karieva, Latofat S. Effect of Compensation Degree and Concentration of Impurity Electroactive Selenium Atoms on Current Auto-oscillation Parameters in Silicon. East European Journal of Physics. (2023), 4, pp. 251-257. [6]Зикриллаев, Н.Ф., Норкулов, Н., Шоабдурахимова, М.М., Сатторов, А.А., Абдурахмонов, С. Низкочастотные автоколебания тока в кремнии, легированного атомами селена. Доклады Академии наук РУз. (2023), т. 5, с. 38-44.[7]Таскин, А.А., Тишковский, Е.Г. Образование квазимолекул Se2 в кремнии легированном селеном. Физика и техника полупроводников, (1998), т. 32, No 11, с. 1306.[8]Бахадырханов, М.К., Аскаров, Ш.И., Нигманходжаев, С.С., Самигов, К.А., Шарипов, Б.З., Пармоанкулов, И.Л. Автоколебания тока в кремнии, легированном серой. Физика и техника полупроводников. (1987), т.21, в. 7, с. 1315-1317.[9]Бахадырхонов, М.К., Зикриллаев, Н.Ф., Арзикулов, Э.У. Влияние упругости паров диффузанта на концентрацию электроактивных атомов и степень компенсации образцов Si<Zn>. Письма ЖТФ. (1991), т. 17, в. 12, с. 1-4