[1]Chen K., Kapadia R., Harker, A., Desai S. Direct growth of single-crystalline III–Vsemiconductors on amorphous substrates. Nature communications, 2016, vol. 7, 10502. doi: 10.1038/ncomms10502.[2]Бахадирханов М.К., ИсамовС.Б. Физические основы формирования гетероваризонной структуры на основе кремния.Журнал технической физики,2021, т. 91, No 11, с. 1678. [3]Adachi S. Properties of Group−IV, III−V and II−VI Semiconductors, Chichester: John Wiley & Sons Ltd, 2005. [4]Бахадырханов М.К., Мавлянов А.Ш., Содиков, У.Х., Хаккулов М.К. Кремний с бинарными элементарными ячейками как новый класс материалов для будущей фотоэнергетики, Гелиотехника, 2015, No 4, с. 28.[5]Уваров А.В., Баранов А.И., Вячеславова Е.А., Калюжный Н.А. Формирование гетероструктур GaP/Si-фотопреобразователей с помощью комбинации методов МОС-гидридной эпитаксии и атомно-слоевого плазмохимического осаждения.Письма в ЖТФ, 2021, т. 47, No 14, с. 51. doi: 10.21883/PJTF.2021.14.51189.18781 [6]Bakhadirkhanov M.K., Isamov S.B.,Kenzhaev Z.T. New materials for photovoltaicsand optoelectronics based on silicon with binary nanoclusters of impurity atoms with controllable parameters. Euroasian J. Semicond. Sci. Engineering, 2020, vol. 2, no. 5, p. 9.[7]Zikrillayev N.F., Koveshnikov S.V., Turekeev Kh.S., Norqulov N., Tachilin S.A. Diffuzion of Phosphours and Gallium from a Deposited Layer of Gallium Phosphide into Silicon. Physics of the Solid State, 2022, vol. 64, no.11, pp. 587-594.