1. Бойко В.И., Жерин И.И., Каратаев В.Д., Недбайло Ю.В., Силаев М.Е Методы и приборы для измерения ядерных и других радиоактивных материалов»..//Uчебное пособие, 2011, C 44-56

2. В.К. Еремин, Е.М. Вербицкая, И.Н. Ильяшенко, И.В. Еремин, Н.Н. Сафонова и т.д. Межсегментное сопротивление в кремниевых позиционно-чувствительных приемниках излучений на основе p-n- переходов // Физика и техника полупроводников, 2009. Том 43, вып. 6, С. 825-829.

3. Азимов С.А., Муминов Р.А., Шамирзаев С.Х., Яфасов А.Я. Кремний литиевые детекторы ядерного излучения. Ташкент: Фан, 1981. С.3-87.14. Ю.А. Акимов Использование полупроводниковых детекторов в физике высоких энергии // Физика элементарных частиц и атомного ядра-1977, том 8, вып. 1. С.193-219.

4. G. Forcinal, P. Siffert and A. Coche, " Window thickness and rectifying process in surface barrier detectors", IEEE Trans. Nucl. Sci., vol. NS-15, pp. 275-280, June 1968.

5. E. Elad, C. Inskeep, R. A. Sareen and P. Nestor, "Dead layers in charged-particle detectors", IEEE Trans. Nucl. Sci.. vol. NS-20, pp. 534-544, Feb. 1973.

6. C. Inskeep, E. Elad and R. Sareen, "Surface barrier structures with various metal electrodes", IEEE Tram. Nucl. Sci., vol.

7. Dhyani V, Das S (2017) High-speed scalable silicon-MoS2P-N heterojunction photodetectors. Sci Rep 7:44243. https:// doi. org/10. 1038/ srep4 4243

8. Mohamed AE-NA, El-Halawany MM, El-Hageen HM (2010) Electro-optical characteristics of PIN photodiode under high ther-mal irradiated felds. Nonlinear Opt Quantum Opt 41(2):149–164

9. A. S. Radzhapov A Versatile Spectrometer Based on a Large-Volume Si(Li) p –i– n Structure Instruments and Experimental Techniques, 2007, Vol. 50, No. 4, pp. 452–454.

10. E.M. Pell, Ion drift in an n-p junction, J. Appl. Phys. 31 (1960) 291–302. https://doi.org/10.1063/1.1735561

11. C.S. Rossington, J.T. Walton, J.M. Jaklevic, Si(Li) detectors with thin dead layers for low energy X-ray detection, IEEE Trans. Nucl. Sci. 38 (1991) 239–243.

12. C.E. Cox, D.A. Fischer, W.G. Schwarz, Y. Song, Improvement in the low energy collection efficiency of Si(Li) X-ray detectors, Nucl. Instruments Methods Phys. Res. Sect. B Beam Interact. with Mater. Atoms. 241 (2005) 436–440. https://doi.org/10.1016/j.nimb.2005.07.091.

13. N. Saffold, F. Rogers, M. Xiao, R. Bhatt, T. Erjavec, H. Fuke, C.J. Hailey, M. Kozai, D. Kraych, E. 28 Martinez, C. Melo-Carrillo, K. Perez, C. Rodriguez, Y. Shimizu, B. Smallshaw, Passivation of Si(Li) detectors operated above cryogenic temperatures for space-based applications, Nucl. Instruments Methods Phys. Res. Sect. A Accel. Spectrometers, Detect. Assoc. Equip. 997 (2021) 165015. https://doi.org/10.1016/j.nima.2020.165015.

14. Fong, J.T. Walton, E.E. Haller, H.A. Sommer, J. Guldberg, Characterization of large diameter silicon by low-bias charge collection analysis in Si(Li) pin diodes, Nucl. Instruments Methods Phys. Res. 199 (1982) 623–630. https://doi.org/10.1016/0167-5087(82)90164-8

15. Maripov I. I., Davlatov U. T., Ashirov S. A. SINTILLYATOR STUDY OF THE PROPERTIES OF SEMICONDUCTOR Si (Li) AND Ge (Li) BASED PHOTODETECTOR //Bulletin of Gulistan State University. – 2019. – Т. 2019. – №. 4. – С. 3-9.