1. Физические процессы в облученных полупроводниках. / Под ред. Л.С.Смирнова.- Новосибирск, 1997.- 256 с. 2. Зайнабидинов С.З., Рубинова Э.Э. Нейтронно-трансмутационное легирование кремния.- Т.: Фан, 1983.- 96 с. 3. Смирнов Л.С., Болотов В.В., Васильев А.В. Роль неравновесности кристаллов полупроводников при радиационных обработках // ФТП, Вып. 13, 1979.-С.1443-1447. 4. Карпов Ю.А., Петров В.В., Просолович B.C. Фотопроводимость и электрические свойства Si/Er/, облученного γ квантами 60Со // ФТП, - 1982. - т. 16. - Вып. 9. - С.1676-1678. 5. Болотов В.В., Камаев Г.Н., Смирнов Л.С. Изменение состояния атомов фосфора в решетке кремния при взаимодействии с радиационными дефектами// ФТП, 36, Вып. 4, 2002.-С. 385-389. 6. Мaтяш И.Е., Минайлова И.А., Сердега Б.К., Хируненко Л.И. Остаточные напряжения в кремнии и их эволюция при температурной обработке и облучении // ФТП,Вып. 9,2017. с. 1155-1160.