Рентгенодифракционное исследование показало, что полученная пленка имеет сфалеритную структуру и является монокристаллической с ориентацией (100). Параметр кристаллической решетки пленки составлял af = 0,56697 нм. Атомно-силовым микроскопом показано, возможности получения полупроводниковой гетероструктуры с квантовыми точками методом жидкофазной эпитаксии
MUALIFLAR
S.Zainabidinov
Andijan State University
X.Mansurov
Andijan State University
A.Boboev
Andijan State University
K.Makhmudov
Andijan State University
Teglar
# heterostructure# semiconductor# epitaxy# single crystal# sphalerite# orientation