logo
calendar6 декабр 2019
view1
Asosiy til:Rus

СТРУКТУРНЫЕ ОСОБЕННОСТИ ТВЕРДОГО РАСТВОРА (GaAs)1-X-Y (Ge2)X(ZnSe)Y С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ (0<X<0,17; 0<Y<0,14)

Fan yo'nalishi:
pdf

file.pdf

PDF

MAQOLA ANNOTATSIYASI

quote
Рентгенодифракционное исследование показало, что полученная пленка имеет сфалеритную структуру и является монокристаллической с ориентацией (100). Параметр кристаллической решетки пленки составлял af = 0,56697 нм. Атомно-силовым микроскопом показано, возможности получения полупроводниковой гетероструктуры с квантовыми точками методом жидкофазной эпитаксии

MUALIFLAR

Teglar

# heterostructure# semiconductor# epitaxy# single crystal# sphalerite# orientation

Maqolani baholang

0

0 ta

Maqola idintifikatorlari

Foydalanilgan adabiyotlar

Физика полупроводников и микроэлектроника

public

SLIB.uz — O'zbekiston ilmiy jurnallari va maqolalar yagona tizimda ilmiy nashirlarni bir joyda ko'rish, izlash va ulardan foydalanish imkonini beruvchi zamonaviy platforma.

Ijtimoiy tarmoqlarda
instagramtelegramyoutubefacebook

Bog'lanish uchun

Manzil:Chilonzor tumani Qatortol ko'chasi 60B

Tel:+998(55)511-44-00

Savol-javob va takliflar uchun

© 2026 Barcha huquqlar himoyalangan.