Методом DLTS исследованы процессы дефектообразования в кремнии, легированном гадолинием. Показано, при диффузионное введение Gd в Si приводит к образованию глубоких уровней с энергиями ионизации Ec-0.23 эВ, Ec-0.35 эВ, Ec-0.41эВ и Ec-0.54 эВ и сечениями захвата электронов sn: 4?10-17см-2, 2?10-15см2, 1.1?10-16см2 и 1.5?10-15см2, соответственно, а в образцах p-Si обнаружен только один уровень с Ev+0.32 эВ.