Методом химически молекулярно-пучкового осаждения (ХМПО) были получены ZnXSn1-XSe пленки твердого раствора. В качестве источников был использованы соединения ZnSe и SnSe стехиометрического состава при температурах подложки 5600С. Исследованы морфологические и электрофизические свойства пленок твердого раствора ZnXSn1-XSe. Рисунки сканирующего электронного микроскопа показали, что размеры зерен пленок составляют 8-20 мкм. Приведены структурные параметры полученных пленок. Электропроводность пленок составляла 15 ? 1?10-6 (Ом.см) -1 в зависимости от состава твердого раствора.