С помощью нестационарной емкостной спектроскопии изучена кинетика отжига уровней вольфрама в кремнии при термообработке в интервале температур 150?4000С. Обнаружено немонотонное изменение концентрации глубоких уровней Ec-0.30 эВ и Ec-0.39 эВ при изотермическом отжиге: концентрации обоих уровней при малых временах возрастают, затем концентрация уровня Ec-0.30 эВ резко падает, а уменьшение концентрации ГУ Ec-0.39 эВ происходит значительно медленнее.
MUALIFLAR
Teglar
# silicon# кремний# глубокий уровень# вольфрам# термообработка# энергия ионизации# heat treatment# deep level# tungsten# ionization energy