logo
calendar7 декабр 2019
view1
Asosiy til:Rus

ВЛИЯНИЕ ТЕРМООБРАБОТКИ НА ПОВЕДЕНИЕ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ В КРЕМНИИ, ЛЕГИРОВАННОМ ВОЛЬФРАМОМ

Fan yo'nalishi:
pdf

file.pdf

PDF

MAQOLA ANNOTATSIYASI

quote
С помощью нестационарной емкостной спектроскопии изучена кинетика отжига уровней вольфрама в кремнии при термообработке в интервале температур 150?4000С. Обнаружено немонотонное изменение концентрации глубоких уровней Ec-0.30 эВ и Ec-0.39 эВ при изотермическом отжиге: концентрации обоих уровней при малых временах возрастают, затем концентрация уровня Ec-0.30 эВ резко падает, а уменьшение концентрации ГУ Ec-0.39 эВ происходит значительно медленнее.

MUALIFLAR

Teglar

# silicon# кремний# глубокий уровень# вольфрам# термообработка# энергия ионизации# heat treatment# deep level# tungsten# ionization energy

Maqolani baholang

0

0 ta

Maqola idintifikatorlari

Foydalanilgan adabiyotlar

Физика полупроводников и микроэлектроника

public

SLIB.uz — O'zbekiston ilmiy jurnallari va maqolalar yagona tizimda ilmiy nashirlarni bir joyda ko'rish, izlash va ulardan foydalanish imkonini beruvchi zamonaviy platforma.

Ijtimoiy tarmoqlarda
instagramtelegramyoutubefacebook

Bog'lanish uchun

Manzil:Chilonzor tumani Qatortol ko'chasi 60B

Tel:+998(55)511-44-00

Savol-javob va takliflar uchun

© 2026 Barcha huquqlar himoyalangan.